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IPB036N12N3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 11:53:04 查看 閱讀�36

IPB036N12N3G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TO-252 (DPAK)封裝。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及各種高效能的功率管理電路中。其�(shè)�(jì)旨在�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  最大連續(xù)漏電流:3.6A
  柵極電荷�4nC
  �(dǎo)通電阻:0.38Ω
  功耗:1.5W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�

特�

IPB036N12N3G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,能夠有效降低開�(guān)損耗�
  3. 較高的雪崩擊穿能量能�,確保在異常條件下具備更高的可靠性�
  4. �(yōu)化的熱性能,適用于緊湊型設(shè)�(jì)且具備良好的散熱表現(xiàn)�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�(zhuǎn)換器�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保�(hù)和監(jiān)控鋰電池�
  4. 電機(jī)�(qū)動電路,控制小型直流或步�(jìn)電機(jī)�
  5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�

替代型號

IPB037N12N3G, IRLZ44N

ipb036n12n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)