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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 19:19:50 查看 閱讀�17

IPB042N10N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用� TRENCHSTOP? 技�(shù),具備低導通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于各種高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-252 (D2PAK),能夠提供良好的散熱性能和易� PCB 布局�(shè)��
  該器件的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括電機驅(qū)動、開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及負載切換等。由于其出色的電氣特性和可靠�,IPB042N10N3 G 成為許多工程師在功率管理�(shè)計中的首��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  導通電阻(典型值)�80mΩ
  柵極電荷(典型值)�17nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:TO-252 (D2PAK)

特�

IPB042N10N3 G 具備以下顯著特點�
  1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保了更低的傳導損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特性使其適合高頻操作,有助于減小無源元件尺寸并降低整體解決方案成本�
  3. �(nèi)置防靜電保護功能增強了器件的魯棒��
  4. 小巧且高效的封裝形式使得其可以輕松集成到緊湊型設(shè)計中�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛制造工藝�
  6. 廣泛的工作溫度范圍保證了其在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運��

�(yīng)�

IPB042N10N3 G 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的初級或次級側(cè)開關(guān)�
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器,例如降�、升壓及反激拓撲�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換和保��
  4. 小型電機�(qū)動控�,如家用電器、電動工具和自動化設(shè)��
  5. 工業(yè)電子中的功率逆變器和伺服�(qū)動器�
  6. 通信�(shè)備中的電源管理和信號�(diào)節(jié)�

替代型號

IPP040N10N3 G, IPP045N10N3 G

ipb042n10n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb042n10n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx042N10N3 G
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs117nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8410pF @ 50V
  • 功率 - 最�214W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB042N10N3 G-NDSP000446880