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IPB60R099C6 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 11:40:36 查看 閱讀:26

IPB60R099C6 是一款由 Infineon(英飛凌)推出的 MOSFET 器件,屬于 OptiMOS 系列。該器件采用 TO-252 封裝形式,專為高效能開關(guān)應(yīng)用設(shè)計,適用于汽車、工業(yè)以及消費電子領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其成為高效率功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
  IPB60R099C6 的額定電壓為 60V,具有非常低的導(dǎo)通電阻(典型值為 9.9mΩ),這有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。此外,該器件還具備出色的熱性能和可靠性,能夠在嚴苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運行。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  封裝:TO-252
  額定電壓 (Vds):60 V
  額定電流 (Id):48 A
  導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):9.9 mΩ
  柵極電荷 (Qg):17 nC
  最大工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  漏源極電容 (Coss):430 pF
  閾值電壓 (Vgs(th)):2.1 V

特性

IPB60R099C6 擁有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(9.9mΩ),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷(17nC),確保更低的開關(guān)損耗。
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),適應(yīng)各種極端環(huán)境條件。
  5. 高可靠性和耐用性,滿足汽車級標準要求。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計。
  7. 出色的熱性能表現(xiàn),便于散熱管理。

應(yīng)用

IPB60R099C6 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 電機驅(qū)動電路中的功率開關(guān)。
  3. 工業(yè)設(shè)備中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
  4. 電動汽車(EV)及混合動力汽車(HEV)中的電池管理系統(tǒng)。
  5. LED 驅(qū)動器中的功率控制元件。
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。

替代型號

IPD60R099PFD
  IPP60R099CP
  BSC099N06NS5

ipb60r099c6推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
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  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb60r099c6參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPx60R099C6
  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C37.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C99 毫歐 @ 18.1A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1.21mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs119nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2660pF @ 100V
  • 功率 - 最大278W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB60R099C6-NDSP000687468