国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPB65R190CFDA

IPB65R190CFDA 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 17:01:26 查看 閱讀�35

IPB65R190CFDA是英飛凌(Infineon)推出的一款基于TRENCHSTOP?技�(shù)的功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域�
  這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)整體效率。同�,它具備較高的雪崩擊穿能力和熱穩(wěn)定�,從而增�(qiáng)了在�(yán)苛環(huán)境下的可靠性�

參數(shù)

型號:IPB65R190CFDA
  封裝:TO-247
  V(DSS)(漏源極電壓):650 V
  RDS(ON)(導(dǎo)通電�,典型值@Vgs=10V):190 mΩ
  Qg(總柵極電荷):37 nC
  Ciss(輸入電容)�2080 pF
  f(t-th)(熱時間常數(shù)):2 ms
  T(j)(結(jié)溫范圍)�-55� to +175�

特�

IPB65R190CFDA具有低導(dǎo)通電阻特�,在額定條件下其典型值為190毫歐�,可顯著降低功率損��
  該芯片采用了先�(jìn)的TRENCHSTOP?技�(shù),這不僅提升了器件的電氣性能,還改善了散熱表�(xiàn)�
  此外,此款MOSFET擁有高達(dá)650伏的耐壓能力,確保其能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定工��
  器件的快速開�(guān)速度以及�(yōu)化的dv/dt控制�(shè)�(jì),�(jìn)一步減少了開關(guān)損耗,并且提高了電磁兼容性表�(xiàn)�
  IPB65R190CFDA還具備出色的雪崩擊穿能力,使其可以承受短暫的過載情況而不損壞,增加了系統(tǒng)的安全��

�(yīng)�

IPB65R190CFDA廣泛�(yīng)用于工業(yè)與汽車領(lǐng)域中需要高效能功率�(zhuǎn)換的場合�
  在工�(yè)�(yīng)用方�,它可以用于不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及各種類型的開關(guān)模式電源(SMPS��
  對于消費(fèi)類電子產(chǎn)品而言,該MOSFET適合于筆記本電腦適配�、電視機(jī)電源等產(chǎn)品�
  此外,在電動車充電設(shè)施及電機(jī)控制系統(tǒng)中也有著良好的應(yīng)用前��

替代型號

IPW65R190CFD, IPP60R190CP

ipb65r190cfda推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)