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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD100N06S4-03

IPD100N06S4-03 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 19:02:10 查看 閱讀�21

IPD100N06S4-03是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于開關電�、DC-DC轉換器、電機驅(qū)動等應用場合。其額定電壓�60V,能夠提供高�100A的連續(xù)漏極電流�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大漏極電流:100A
  導通電阻:2.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�85nC(典型值)
  開關時間:ton=15ns,toff=25ns(典型值)
  結溫范圍�-55℃至+175�

特�

IPD100N06S4-03采用了先進的工藝技術制造,具備以下特點�
  1. 極低的導通電�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關性能,能夠有效減少開關損��
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常工作條件下的可靠性�
  4. 符合RoHS標準,環(huán)保且適用于廣泛的工業(yè)領域�
  5. 良好的熱性能,支持長時間�(wěn)定運行�

應用

該功率MOSFET適用于多種電力電子應用場�,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS�,例如AC-DC適配器和充電��
  2. DC-DC轉換�,在汽車電子和通信設備中常��
  3. 電機�(qū)動電路,如家用電器和工業(yè)自動化中的無刷直流電機控��
  4. 能量回收系統(tǒng)以及太陽能逆變器中的功率管理模��
  5. 各種保護電路,如過流保護和負載切換電��

替代型號

IRLB8729PBF, STP100N06HD, FDP157N06A

ipd100n06s4-03推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd100n06s4-03參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD100N06S4-03
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫歐 @ 100A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 90µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs128nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds10400pF @ 25V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3-11
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD100N06S403ATMA1SP000415576