時間：2025/5/20 19:02:10
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IPD100N06S4-03是一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，適合用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅(qū)動等應用場合。其額定電壓為60V，能夠提供高達100A的連續(xù)漏極電流。
最大漏源電壓：60V
最大漏極電流：100A
導通電阻：2.5mΩ（典型值）
柵極電荷：85nC（典型值）
開關時間：ton=15ns，toff=25ns（典型值）
結溫范圍：-55℃至+175℃
IPD100N06S4-03采用了先進的工藝技術制造，具備以下特點：
1. 極低的導通電阻，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能，能夠有效減少開關損耗。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常工作條件下的可靠性。
4. 符合RoHS標準，環(huán)保且適用于廣泛的工業(yè)領域。
5. 良好的熱性能，支持長時間穩(wěn)定運行。
該功率MOSFET適用于多種電力電子應用場景，包括但不限于以下領域：
1. 開關模式電源（SMPS），例如AC-DC適配器和充電器。
2. DC-DC轉換器，在汽車電子和通信設備中常見。
3. 電機驅(qū)動電路，如家用電器和工業(yè)自動化中的無刷直流電機控制。
4. 能量回收系統(tǒng)以及太陽能逆變器中的功率管理模塊。
5. 各種保護電路，如過流保護和負載切換電路。
IRLB8729PBF, STP100N06HD, FDP157N06A
