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IPD100N06S4-03 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 19:02:10 查看 閱讀:21

IPD100N06S4-03是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅(qū)動等應用場合。其額定電壓為60V,能夠提供高達100A的連續(xù)漏極電流。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大漏極電流:100A
  導通電阻:2.5mΩ(典型值)
  柵極電荷:85nC(典型值)
  開關時間:ton=15ns,toff=25ns(典型值)
  結溫范圍:-55℃至+175℃

特性

IPD100N06S4-03采用了先進的工藝技術制造,具備以下特點:
  1. 極低的導通電阻,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關性能,能夠有效減少開關損耗。
  3. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常工作條件下的可靠性。
  4. 符合RoHS標準,環(huán)保且適用于廣泛的工業(yè)領域。
  5. 良好的熱性能,支持長時間穩(wěn)定運行。

應用

該功率MOSFET適用于多種電力電子應用場景,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS),例如AC-DC適配器和充電器。
  2. DC-DC轉換器,在汽車電子和通信設備中常見。
  3. 電機驅(qū)動電路,如家用電器和工業(yè)自動化中的無刷直流電機控制。
  4. 能量回收系統(tǒng)以及太陽能逆變器中的功率管理模塊。
  5. 各種保護電路,如過流保護和負載切換電路。

替代型號

IRLB8729PBF, STP100N06HD, FDP157N06A

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ipd100n06s4-03參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPD100N06S4-03
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫歐 @ 100A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 90µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs128nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds10400pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封裝PG-TO252-3-11
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD100N06S403ATMA1SP000415576