IPD100N06S4-03是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅(qū)動等應用場合。其額定電壓為60V,能夠提供高達100A的連續(xù)漏極電流。
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:100A
導通電阻:2.5mΩ(典型值)
柵極電荷:85nC(典型值)
開關時間:ton=15ns,toff=25ns(典型值)
結溫范圍:-55℃至+175℃
IPD100N06S4-03采用了先進的工藝技術制造,具備以下特點:
1. 極低的導通電阻,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能,能夠有效減少開關損耗。
3. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常工作條件下的可靠性。
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且適用于廣泛的工業(yè)領域。
5. 良好的熱性能,支持長時間穩(wěn)定運行。
該功率MOSFET適用于多種電力電子應用場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS),例如AC-DC適配器和充電器。
2. DC-DC轉換器,在汽車電子和通信設備中常見。
3. 電機驅(qū)動電路,如家用電器和工業(yè)自動化中的無刷直流電機控制。
4. 能量回收系統(tǒng)以及太陽能逆變器中的功率管理模塊。
5. 各種保護電路,如過流保護和負載切換電路。
IRLB8729PBF, STP100N06HD, FDP157N06A