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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD20N06L

IPD20N06L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:44:09 查看 閱讀�22

IPD20N06L 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)景中。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和性能�
  � MOSFET 的額定電壓為 60V,最大漏極電流可�(dá) 20A(脈沖條件下),同時(shí)其優(yōu)化的封裝形式有助于提升散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�11.7A(@25°C�
  脈沖漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�19nC(典型值)
  輸入電容�1080pF(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns,toff=18ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容性,使得�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)更加�(jiǎn)��
  4. 較高的雪崩擊穿能量能�,增�(qiáng)了器件的可靠��
  5. 采用 TO-220 封裝,具備良好的散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

IPD20N06L 可以在多種電力電子設(shè)備中使用,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  4. UPS 不間斷電源中的功率管理模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備中的負(fù)載切��
  6. 其他需要高性能功率 MOSFET 的場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400A, FDP17N6

ipd20n06l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)