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IPD20N06L 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/13 8:44:09 查看 閱讀:22

IPD20N06L 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用邏輯電平驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景中。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和性能。
  該 MOSFET 的額定電壓為 60V,最大漏極電流可達(dá) 20A(脈沖條件下),同時(shí)其優(yōu)化的封裝形式有助于提升散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:11.7A(@25°C)
  脈沖漏極電流:20A
  導(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:19nC(典型值)
  輸入電容:1080pF(典型值)
  開關(guān)時(shí)間:ton=12ns,toff=18ns(典型值)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
  3. 邏輯電平驅(qū)動(dòng)兼容性,使得驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)單。
  4. 較高的雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了器件的可靠性。
  5. 采用 TO-220 封裝,具備良好的散熱性能。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。

應(yīng)用

IPD20N06L 可以在多種電力電子設(shè)備中使用,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,例如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)等。
  4. UPS 不間斷電源中的功率管理模塊。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備中的負(fù)載切換。
  6. 其他需要高性能功率 MOSFET 的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400A, FDP17N6

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