IPD50N04S3-08是一款N溝道MOSFET功率晶體�,專為高效率、低損耗的開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種電源管理和電機驅(qū)動場��
該型號屬于Infineon Technologies(英飛凌科技)旗下的�(chǎn)品系列,廣泛�(yīng)用于工業(yè)、汽車和消費電子�(lǐng)域�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.6mΩ
柵極電荷�72nC
輸入電容�2120pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
IPD50N04S3-08具有以下顯著特點�
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)用�
3. �(yōu)化的開關(guān)性能,降低了開關(guān)損耗并提升了整體能效�
4. 極高的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持可靠運行�
5. 小型化封裝設(shè)�,便于PCB布局和散熱管��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備要��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機控制和驅(qū)動電��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
4. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
6. 各種需要高效功率切換的�(yīng)用場��
IPW50N04S3-08, IRFH5004TRPBF, FDP5020N