国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD80N04S3-06

IPD80N04S3-06 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:48:29 查看 閱讀�24

IPD80N04S3-06 是一款基于硅基技�(shù)的高性能功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn),能夠在高壓�(huán)境下提供高效�(wěn)定的性能�
  該MOSFET為N溝道增強(qiáng)�,封裝形式通常為TO-220或PDFN等常見封裝其�(yōu)化的芯片�(jié)�(gòu)使其能夠承受較高的電�,并在高頻工作條件下保持較低的能量損��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�80A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�11nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=15ns(典型值)
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,可顯著減少開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,支持長�(shí)間高溫運(yùn)��
  5. 小尺寸封裝選�(xiàng),簡化了PCB布局和整體設(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的無刷直流電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管理模��
  5. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元件�
  6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中涉及的大電流開關(guān)需��

替代型號(hào)

IPW80N04S3,IRF840,STP80NF06

ipd80n04s3-06推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd80n04s3-06資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ipd80n04s3-06參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD80N04S3-06
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫歐 @ 80A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 52µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3250pF @ 25V
  • 功率 - 最�100W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD80N04S3-06-NDIPD80N04S3-06TRSP000261220