IPG16N10S4-61 時(shí)間：2025/4/28 20:08:21 閱讀：33

IPG16N10S4-61是一款基于溝槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，適合用于各類高效能轉(zhuǎn)換和功率管理應(yīng)用中。它廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
　　該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝，能夠在較高的電流密度下工作，同時(shí)具備出色的熱性能和電氣特性。其封裝形式通常為表面貼裝類型，方便自動(dòng)化生產(chǎn)和安裝。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：16A
　　導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　開關(guān)頻率：高達(dá)1MHz
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃
　　封裝形式：TO-252(DPAK)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，有效減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開關(guān)速度，支持高頻操作，滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高頻的需求。
　　3. 高雪崩能力，增強(qiáng)了在異常條件下的耐用性。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，即使在極端溫度環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保設(shè)計(jì)，確保產(chǎn)品符合國際環(huán)保法規(guī)要求。
　　6. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，便于模塊化集成和緊湊型電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
　　2. 降壓或升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的H橋或半橋驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 各種負(fù)載開關(guān)場(chǎng)合，如便攜式電子產(chǎn)品中的電池保護(hù)和電源切換。
　　5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率級(jí)組件。
　　6. LED照明驅(qū)動(dòng)器中的關(guān)鍵功率處理單元。