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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPN80R2K0P7

IPN80R2K0P7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 19:00:26 查看 閱讀�18

IPN80R2K0P7 是一款由 Infineon(英飛凌)推出的 N 治道功率 MOSFET,采� PQFN5x6-14 封裝。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電路以及負(fù)載開�(guān)�。其�(shè)�(jì)注重低導(dǎo)通電阻和高效�,從而實(shí)�(xiàn)更優(yōu)的系�(tǒng)性能�
  IPN80R2K0P7 的主要特�(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�、優(yōu)化的柵極電荷(Qg�,以及良好的熱性能。此�,該器件還具有較高的雪崩擊穿能力,使其在�(yán)苛的工作條件下也能保持穩(wěn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�3.8A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):2mΩ(典型�,@ VGS=10V�
  柵極電荷�9nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:10ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
  封裝形式:PQFN5x6-14

特�

IPN80R2K0P7 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高效的封裝設(shè)�(jì)(PQFN5x6-14�,能夠提供出色的散熱性能�
  3. 減少了柵極電荷(Qg),從而降低了開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),支持寬泛的工作溫度范圍,適用于惡劣�(huán)境下的應(yīng)用�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),具備優(yōu)秀的抗雪崩能力和魯棒性�
  這些特性使� IPN80R2K0P7 成為許多高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IPN80R2K0P7 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源管理 - 包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 同步整流電路 - 提供高效的整流功能,降低能量損失�
  3. 開關(guān)模式電源(SMPS� - �(shí)�(xiàn)更高效率的電力傳��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng) - 控制直流�(wú)刷電�(jī)和其他類型的電機(jī)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)� - 如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�
  6. 筆記本電腦適配器及充電器 - 在便攜式電子�(shè)備中提供可靠的電源解決方��
  7. LED 照明�(qū)�(dòng) - 支持高效的恒流或恒壓輸出控制�

替代型號(hào)

IPD80R2K0P7,
  IPP80R2K0P7

ipn80r2k0p7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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