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IPP041N04N G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/12 12:10:56 查看 閱讀：26

IPP041N04N G 是一款由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高效率性能使其成為眾多功率管理場(chǎng)景的理想選擇。
　　該器件的工作電壓為 40V，適用于中低壓應(yīng)用環(huán)境。由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和熱性能，它在緊湊型設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds)：40V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：4.6A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：70mΩ @ Vgs=10V
　　總功耗(Ptot)：1.15W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封裝類型：TO-252 (DPAK)

特性

IPP041N04N G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可以減少傳導(dǎo)損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度和較低的輸入電容使得 IPP041N04N G 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
　　3. 高雪崩能量能力增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的可靠性。
　　4. 采用無(wú)鉛 (Pb-free) 封裝，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
　　5. 內(nèi)置反向二極管，支持續(xù)流功能，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
　　6. 小型化封裝節(jié)省 PCB 空間，適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
　　這些特性使 IPP041N04N G 成為各種高效能功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

IPP041N04N G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流和主開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率控制。
　　4. 各類負(fù)載切換場(chǎng)景，例如電池管理系統(tǒng)或汽車電子。
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)器和逆變器中的功率調(diào)節(jié)。
　　6. 通信設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
　　其高效率和可靠性使得該器件能夠在多種復(fù)雜環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。

替代型號(hào)

IPP042N04N G, IPP044N04N G, IPP046N04N G

ipp041n04n g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipp041n04n g產(chǎn)品

ipp041n04n g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPB,IPP041N04N G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4.1 毫歐 @ 80A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 45µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 20V
  • 功率 - 最大94W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000392842SP000680790