IPP041N04N G 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高效率性能使其成為眾多功率管理場(chǎng)景的理想選擇。
該器件的工作電壓為 40V,適用于中低壓應(yīng)用環(huán)境。由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和熱性能,它在緊湊型設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓(Vds):40V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):4.6A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):70mΩ @ Vgs=10V
總功耗(Ptot):1.15W
結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +150°C
封裝類型:TO-252 (DPAK)
IPP041N04N G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可以減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度和較低的輸入電容使得 IPP041N04N G 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
3. 高雪崩能量能力增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的可靠性。
4. 采用無(wú)鉛 (Pb-free) 封裝,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
5. 內(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功能,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
6. 小型化封裝節(jié)省 PCB 空間,適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
這些特性使 IPP041N04N G 成為各種高效能功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
IPP041N04N G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流和主開(kāi)關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率控制。
4. 各類負(fù)載切換場(chǎng)景,例如電池管理系統(tǒng)或汽車電子。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器和逆變器中的功率調(diào)節(jié)。
6. 通信設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
其高效率和可靠性使得該器件能夠在多種復(fù)雜環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
IPP042N04N G, IPP044N04N G, IPP046N04N G