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IPT020N10N3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 10:18:55 查看 閱讀：11

IPT020N10N3是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管，由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用先進(jìn)的溝槽式技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于多種開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等。它能夠在高頻條件下高效運(yùn)行，并且具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：1.8mΩ（典型值）
　　柵極電荷：49nC（典型值）
　　開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá)500kHz
　　封裝形式：TO-247

特性

IPT020N10N3使用了Infineon的CoolMOS技術(shù)，具有非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效率。此外，其優(yōu)化的柵極電荷使得開(kāi)關(guān)損耗較低，非常適合高頻應(yīng)用。
　　該器件還具有出色的熱性能，可以有效管理功率耗散。同時(shí)，內(nèi)置的ESD保護(hù)提高了其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
　　IPT020N10N3的漏源擊穿電壓為100V，能夠承受瞬態(tài)高壓，確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性。
　　另外，其大電流能力（20A連續(xù)漏極電流）使其適合需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

IPT020N10N3廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)元件。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
　　3. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 汽車(chē)電子中的負(fù)載切換和逆變器。
　　5. 可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊，例如太陽(yáng)能逆變器。

替代型號(hào)

IPT022N10N3, IPT025N10N3

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