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IPT020N10N3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 10:18:55 查看 閱讀:11

IPT020N10N3是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管,由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用先進(jìn)的溝槽式技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于多種開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等。它能夠在高頻條件下高效運(yùn)行,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:20A
  導(dǎo)通電阻:1.8mΩ(典型值)
  柵極電荷:49nC(典型值)
  開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)500kHz
  封裝形式:TO-247

特性

IPT020N10N3使用了Infineon的CoolMOS技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效率。此外,其優(yōu)化的柵極電荷使得開(kāi)關(guān)損耗較低,非常適合高頻應(yīng)用。
  該器件還具有出色的熱性能,可以有效管理功率耗散。同時(shí),內(nèi)置的ESD保護(hù)提高了其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
  IPT020N10N3的漏源擊穿電壓為100V,能夠承受瞬態(tài)高壓,確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性。
  另外,其大電流能力(20A連續(xù)漏極電流)使其適合需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

IPT020N10N3廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
  3. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 汽車(chē)電子中的負(fù)載切換和逆變器。
  5. 可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊,例如太陽(yáng)能逆變器。

替代型號(hào)

IPT022N10N3, IPT025N10N3

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