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IPT054N15N5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:02:47 查看 閱讀�26

IPT054N15N5是一款由Infineon(英飛凌)公司生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TO-263封裝,適用于開關(guān)電源、DC/DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率控制�(yīng)�。其額定電壓�150V,連續(xù)漏極電流高達(dá)5.4A,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)�
  該MOSFET�(shè)�(jì)用于高效能的功率�(zhuǎn)換系�(tǒng),支持高頻操�,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用�,能夠滿足工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的�(yán)苛要��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�5.4A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  總柵極電荷:25nC
  輸入電容�1050pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

IPT054N15N5擁有低導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。此�,它具備快速開�(guān)能力,能夠降低開�(guān)損�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。器件的高雪崩能量能力增�(qiáng)了其在異常條件下的魯棒��
  該MOSFET采用了先�(jìn)的芯片技�(shù),確保了較低的熱阻和出色的散熱性能。同�(shí),其�(jiān)固的�(shè)�(jì)使其能夠承受惡劣的工作環(huán)�,包括高溫和瞬態(tài)電壓沖擊�
  另外,IPT054N15N5的封裝形式為TO-263(D2PAK�,這種封裝不僅提供了較大的散熱面積,還便于PCB布局和安�,非常適合表面貼裝工藝�

�(yīng)�

IPT054N15N5廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源適配�、AC/DC和DC/DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�、電磁閥�(qū)�(dòng)以及太陽(yáng)能逆變器等�(chǎng)��
  在開�(guān)電源�(lǐng)�,該MOSFET可以用作主開�(guān)管或同步整流�,以�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�。對(duì)于電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�,它可以提供精確的電流控�,從而改善系�(tǒng)的動(dòng)�(tài)響應(yīng)和穩(wěn)定性。此�,由于其高耐壓和大電流承載能力,也適用于工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�

替代型號(hào)

IPT060N15N5
  IPT054N15N4G
  IRFZ44N
  STP55NF06

ipt054n15n5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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