IR2110E4是一款高性能的高壓浮置柵極驅(qū)�(dòng)芯片,專(zhuān)為需要高�(cè)和低�(cè)�(qū)�(dòng)的功率MOSFET或IGBT�(shè)�(jì)。該芯片具有�(dú)立的高端和低端輸出通道,可廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)控制、逆變器等�(chǎng)�。它采用DIP-8封裝形式,支持高�(dá)600V的工作電�,并提供自舉電容充電電路以簡(jiǎn)化設(shè)�(jì)�
工作電壓�10V � 20V
最大耐壓�600V
傳播延遲�50ns
輸入門(mén)檻電壓:3.5V(典型值)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
輸出電流:峰值源電流3A,峰值灌電流-6A
IR2110E4具備以下主要特點(diǎn)�
1. 高壓浮置通道,能夠驅(qū)�(dòng)與地隔離的高�(cè)功率�(kāi)�(guān)�
2. �(nèi)置自舉二極管,方便使用外部自舉電容供電給高側(cè)�(qū)�(dòng)�
3. �(dú)立的高低端輸入引�,兼容各種PWM信號(hào)輸入模式�
4. 較低的傳輸延�(shí)�??焖偾袚Q,減少開(kāi)�(guān)損��
5. 提供欠壓鎖定保護(hù)功能(UVLO),增強(qiáng)系統(tǒng)可靠��
6. 能夠承受較高的dv/dt瞬態(tài)沖擊,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
7. 封裝形式緊湊,便于PCB布局�(shè)�(jì)�
IR2110E4適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的半橋或全橋�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器和直�-交流逆變��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制系�(tǒng)中的功率�(jí)�(qū)�(dòng)�
4. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模塊控��
5. 太陽(yáng)能逆變器及其他新能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換部��
IR2110S, IR2113, TC4420