IR2110L4是IR公司推出的一款高性能、高壓功率MOSFET和IGBT�(qū)動器芯片。該芯片采用半橋配置,支持高�(cè)和低�(cè)�(qū)�,具有較高的耐壓能力(可�600V�,并集成了自舉電路以簡化高側(cè)�(qū)動設�。IR2110L4適用于開�(guān)電源、電機控�、逆變器以及其他需要高效功率驅(qū)動的應用場景�
IR2110L4通過邏輯輸入控制兩個獨立的輸出通道,并�(nèi)置了欠壓鎖定保護功能,能夠有效防止供電電壓不足時對電路造成損壞。同�,其快速傳播延遲和匹配的傳播延遲特性有助于降低系統(tǒng)死區(qū)時間,提高效率�
工作電壓�10V-20V
高側(cè)浮置電壓�600V
�(qū)動電流:±2.5A
傳播延遲�75ns
匹配傳播延遲差:最�30ns
工作溫度范圍�-40℃至125�
1. 支持高側(cè)和低�(cè)�(qū)�,適合半橋拓撲結(jié)�(gòu)�
2. �(nèi)置自舉二極管,方便高�(cè)�(qū)動電路的設計�
3. 高耐壓能力,能夠承受高�600V的浮動電壓�
4. ±2.5A峰值驅(qū)動電流輸�,確保高效的功率器件�(qū)��
5. 欠壓鎖定保護功能,避免低壓條件下的不�(wěn)定運��
6. 快速且匹配良好的傳播延�,減少系�(tǒng)死區(qū)時間,提升整體效��
7. 寬工作溫度范�,適應各種工�(yè)�(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動與控制
3. 逆變器及不間斷電源(UPS�
4. 熒光燈電子鎮(zhèn)流器
5. 各類工業(yè)自動化設備中的功率轉(zhuǎn)換模�
6. 太陽能微逆變器等新能源相�(guān)�(chǎn)�
IR2110S4, IR2111, IR2112