TF050N03N是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率開關的場景。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高電流處理能�,適合于中高功率應用�(huán)��
TF050N03N的主要特點是其出色的開關特性和較低的功�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率并降低熱量產生。此�,它還具備較高的雪崩擊穿能量吸收能力,確保在異常工作條件下的可靠��
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�48A
柵極閾值電壓:2V~4V
導通電阻:3.5mΩ(典型值)
總功耗:175W
工作溫度范圍�-55℃~150�
TF050N03N采用了先進的制造工�,使其具備以下特點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少功率損耗�
2. 高雪崩擊穿能量(EAS)能�,提高系�(tǒng)在異常情況下的魯棒性�
3. 快速開關速度,有助于降低開關損耗并提升整體效率�
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
5. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現�
由于其卓越的性能,TF050N03N適用于多種領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
2. DC-DC轉換器中的功率開��
3. 電機驅動電路中的功率級控制�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 太陽能逆變器及其他新能源相關設��
IRFZ44N, FDP55N06L