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IRF3007PBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/10 11:39:19 查看 閱讀：629

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?


目錄

概述

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點：標準型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12.6 毫歐 @ 48A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：75V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：75A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3270pF @ 25V

    功率 - 最大：200W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)

    包裝：管件

    供應商設備封裝：TO-220AB

    其它名稱：*IRF3007PBF


資料

廠商
Infineon Technologies

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irf3007pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12.6 毫歐 @ 48A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3270pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF3007PBF