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IRF520A 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 8:53:59 查看 閱讀:24

IRF520A是一種N溝道功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),由國際整流器公司(International Rectifier,IR)生產(chǎn)。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、音頻放大器以及其他需要高效開關(guān)和低導通損耗的應(yīng)用場景中。與標準的IRF520相比,IRF520A經(jīng)過優(yōu)化改進,具有更低的漏源導通電阻(Rds(on))以及更高的可靠性。
  IRF520A采用TO-220封裝形式,支持高電流和高電壓操作,同時具備快速開關(guān)能力。其設(shè)計目標是為中等功率應(yīng)用提供高效的解決方案,尤其適合于需要低功耗和高穩(wěn)定性的電路。

參數(shù)

最大漏極電流:10A
  最大漏源電壓:100V
  漏源導通電阻(Rds(on)):0.4Ω(典型值,25°C)
  柵極閾值電壓:4V(典型值)
  最大耗散功率:68W(在Tc=25°C時)
  工作結(jié)溫范圍:-55°C至+175°C
  熱阻(結(jié)到殼):1.5°C/W

特性

1. IRF520A采用了先進的功率MOSFET技術(shù),具有較低的導通電阻,從而減少了導通損耗并提高了整體效率。
  2. 支持高達10A的連續(xù)漏極電流和100V的最大漏源電壓,適用于廣泛的中等功率應(yīng)用場景。
  3. 具有較高的輸入阻抗,能夠簡化驅(qū)動電路設(shè)計,并減少控制信號的功耗。
  4. 柵極電荷較小,有助于實現(xiàn)更快的開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。
  5. 工作溫度范圍寬廣,從-55°C到+175°C,能夠在極端環(huán)境條件下保持穩(wěn)定性能。
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
  7. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,便于安裝和使用。

應(yīng)用

IRF520A主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
  2. 直流電機驅(qū)動和控制。
  3. 音頻功率放大器,特別是在D類放大器中作為輸出級開關(guān)元件。
  4. 脈寬調(diào)制(PWM)控制器。
  5. 繼電器替代方案,用于實現(xiàn)更快速、更可靠的切換功能。
  6. 各種負載開關(guān)和保護電路。
  7. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開關(guān)。

替代型號

IRF520, IRFZ24N, BUZ11

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irf520a參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓100 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流9.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.2 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 175 C
  • 安裝風格Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-220AB
  • 封裝Tube
  • 下降時間28 ns
  • 正向跨導 gFS(最大值/最小值)0.006 S
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散45 W
  • 上升時間14 ns
  • 工廠包裝數(shù)量50
  • 典型關(guān)閉延遲時間36 ns