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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 13:12:43 查看 閱讀�37

IRF5852TRPBF是一款由Infineon(英飛凌)制造的N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件專為高效率開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各類工業(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域的電源管理解決方案�
  這款MOSFET在設(shè)�(jì)上優(yōu)化了漏源極之間的電壓承受能力,并提供了出色的熱性能,使其能夠勝任多種高�、高頻應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源極電壓�100V
  連續(xù)漏極電流�47A
  �(dǎo)通電阻:2.9mΩ
  柵極電荷�37nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝類型:TO-263-3

特�

IRF5852TRPBF的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(�2.9mΩ),這使得它能夠在高電流條件下提供高效且�(wěn)定的性能表現(xiàn)。此�,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在極端環(huán)境下保持正常�(yùn)��
  由于采用了先�(jìn)的制造工藝,IRF5852TRPBF的開�(guān)速度�?�?,適合用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要快速切換的�(yīng)用場(chǎng)��
  此外,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電�,�(jìn)一步提升了其動(dòng)�(tài)性能并降低了開關(guān)損耗�
  IRF5852TRPBF的封裝形式TO-263-3也使其易于安裝和散熱管理,非常適合緊湊型�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

IRF5852TRPBF廣泛�(yīng)用于各種需要高性能功率開關(guān)的場(chǎng)合,包括但不限于�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)�
  該器件憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,成為眾多工程師在功率管理設(shè)�(jì)中的首選方案�

替代型號(hào)

IRF540N, IRFZ44N, FDP5802

irf5852trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf5852trpbf資料 更多>

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  • 描述
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irf5852trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.7A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.25V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
  • 功率 - 最�960mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.059"�1.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro6?(TSOP-6�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF5852TRPBF-NDIRF5852TRPBFTR