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IRF5852TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 13:12:43 查看 閱讀：37

IRF5852TRPBF是一款由Infineon（英飛凌）制造的N溝道功率MOSFET，采用TO-263-3封裝形式。該器件專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于各類工業(yè)及消費(fèi)電子領(lǐng)域的電源管理解決方案。
　　這款MOSFET在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了漏源極之間的電壓承受能力，并提供了出色的熱性能，使其能夠勝任多種高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源極電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：47A
　　導(dǎo)通電阻：2.9mΩ
　　柵極電荷：37nC
　　開關(guān)速度：快速
　　封裝類型：TO-263-3

特性

IRF5852TRPBF的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻（僅2.9mΩ），這使得它能夠在高電流條件下提供高效且穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。此外，該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端環(huán)境下保持正常運(yùn)行。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，IRF5852TRPBF的開關(guān)速度非�？�，適合用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及其他需要快速切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　此外，該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電容，進(jìn)一步提升了其動(dòng)態(tài)性能并降低了開關(guān)損耗。
　　IRF5852TRPBF的封裝形式TO-263-3也使其易于安裝和散熱管理，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

IRF5852TRPBF廣泛應(yīng)用于各種需要高性能功率開關(guān)的場(chǎng)合，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊
　　6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)應(yīng)用
　　該器件憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性，成為眾多工程師在功率管理設(shè)計(jì)中的首選方案。

替代型號(hào)

IRF540N, IRFZ44N, FDP5802

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irf5852trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.7A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.25V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
  • 功率 - 最大960mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝Micro6?（TSOP-6）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF5852TRPBF-NDIRF5852TRPBFTR