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IRF5852TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 13:12:43 查看 閱讀:37

IRF5852TRPBF是一款由Infineon(英飛凌)制造的N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于各類工業(yè)及消費(fèi)電子領(lǐng)域的電源管理解決方案。
  這款MOSFET在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了漏源極之間的電壓承受能力,并提供了出色的熱性能,使其能夠勝任多種高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源極電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:47A
  導(dǎo)通電阻:2.9mΩ
  柵極電荷:37nC
  開關(guān)速度:快速
  封裝類型:TO-263-3

特性

IRF5852TRPBF的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(僅2.9mΩ),這使得它能夠在高電流條件下提供高效且穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。此外,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在極端環(huán)境下保持正常運(yùn)行。
  由于采用了先進(jìn)的制造工藝,IRF5852TRPBF的開關(guān)速度非�?�,適合用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及其他需要快速切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
  此外,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電容,進(jìn)一步提升了其動(dòng)態(tài)性能并降低了開關(guān)損耗。
  IRF5852TRPBF的封裝形式TO-263-3也使其易于安裝和散熱管理,非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

IRF5852TRPBF廣泛應(yīng)用于各種需要高性能功率開關(guān)的場(chǎng)合,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)應(yīng)用
  該器件憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,成為眾多工程師在功率管理設(shè)計(jì)中的首選方案。

替代型號(hào)

IRF540N, IRFZ44N, FDP5802

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irf5852trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.7A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1.25V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
  • 功率 - 最大960mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝Micro6?(TSOP-6)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF5852TRPBF-NDIRF5852TRPBFTR