時間：2025/4/30 19:27:03
閱讀：34
IRF6216TR 是一款由 Vishay 提供的 N 灃道 enhancement mode MOSFET（場效應(yīng)晶體管）。該器件采用小型化的 SO-8 封裝形式，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適合于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其設(shè)計旨在提高效率和降低功耗，因此在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載切換等場景中廣泛應(yīng)用。
IRF6216TR 的核心特點是低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高雪崩擊穿能力，這使其非常適合需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計。
最大漏源電壓：55V
連續(xù)漏極電流：39A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：4.0mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷：17nC
總電容：1170pF
開關(guān)時間：ton=12ns, toff=9ns
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：SO-8
IRF6216TR 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可顯著減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力，支持高達(dá) 39A 的連續(xù)漏極電流，適用于高功率應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)性能，能夠有效減少開關(guān)損耗，提升動態(tài)響應(yīng)速度。
4. 支持寬溫度范圍 (-55°C 至 +175°C)，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
5. 內(nèi)置雪崩擊穿保護功能，增強了器件的可靠性與穩(wěn)定性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
IRF6216TR 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率級控制。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動。
4. 計算機及服務(wù)器電源模塊。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換。
6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
IRF6216,
IRF6217,
STP12NF06,
IXTP12N55T2
