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IRF630 發(fā)布時間 時間�2024/7/24 15:40:41 查看 閱讀�787

IRF630是一款N溝道MOSFET晶體�,由國際整流器公司(International Rectifier)設計和生產。該器件具有低導通電�、高開關速度、低門極驅動電壓和高耐壓能力等特�,被廣泛應用于各種高功率開關電路中�
  IRF630的操作理論是基于MOSFET的工作原�,通過施加柵極電壓來控制MOSFET的導通和截止狀�(tài),實�(xiàn)電路的通斷和控��
  IRF630由源極、漏極和柵極三個端子組�,其中柵極與漏極之間存在一個絕緣層�

參數

1、最大漏極電壓:200V
  2、最大漏極電流:9.5A
  3、最大功率:117W
  4、靜�(tài)漏極電阻�0.36Ω
  5、門極驅動電壓:±20V
  6、工作溫度范圍:-55℃~175�

特點

1、低導通電阻:IRF630的導通電阻只�0.36Ω,可以承受高電流負載,降低功率損耗和溫度升高�
  2、高開關速度:IRF630的開關速度�?�?,可以確保在高頻率下�(wěn)定工��
  3、低門極驅動電壓:IRF630的門極驅動電壓只有�20V,可以通過簡單的邏輯電路或微控制器來驅��
  4、高耐壓能力:IRF630可以承受高達200V的漏極電壓,可以應用于高壓電路中�
  5、可靠性高:IRF630采用獨特的制造工藝和材料,具有高可靠性和長壽命�

工作原理

IRF630是一款N溝道MOSFET晶體�。當門極電壓高于閾值電壓時,MOSFET會形成一個導通通道,電流從漏極流向源極。當門極電壓低于閾值電壓時,MOSFET會失去導通通道,電流將停止流動。IRF630的導通和截止可以通過在門極上施加控制電壓來實�(xiàn)�

應用

IRF630被廣泛應用于各種高功率開關電路中,如�
  1、電源開�
  2、PWM控制�
  3、直�-直流轉換�
  4、電機驅動器
  5、照明控制器
  6、電子變壓器
  7、太陽能逆變�
  8、電子球asts

如何使用

使用IRF630時需要注意以下幾點:
  1、選擇合適的散熱器:IRF630的功耗較高,需要使用散熱器來散�。散熱器的選擇要根據電路設計和環(huán)境溫度來確定�
  2、控制電路的設計:IRF630的門極驅動電壓只有�20V,所以控制電路需要匹�,以確保MOSFET的正常工作�
  3、電路保護:在使用IRF630�,需要加入適當的保護電路,如過流保護、過壓保護和過熱保護等,以保護電路和器件的安��

irf630推薦供應� 更多>

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irf630資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • IRF630
  • N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-20...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

irf630參數

  • 其它有關文件IRF630 View All Specifications
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列MESH OVERLAY™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最�75W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 工具�497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
  • 其它名稱497-2757-5