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IRF640NPBF 發(fā)布時間 時間�2024/7/24 15:42:17 查看 閱讀�512

IRF640NPBF是一種N溝道MOSFET功率晶體�,屬于TO-220封裝的電子元件。該晶體管具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高耐壓等優(yōu)點,適用于各種高�、高壓和高溫�(yīng)用場��
  IRF640NPBF的應(yīng)用范圍非常廣�,主要用于各種高頻、高壓和高溫場合,如電源開關(guān)、電�(jī)�(qū)�、照明電�、逆變器、變換器、電源管理等�(lǐng)�。其�(yōu)點在于具有低�(dǎo)通電�,能�?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸,同時具有高開關(guān)速度和高耐壓,能夠在高頻和高壓條件下�(wěn)定工作�
  總之,IRF640NPBF是一款性能�(yōu)良的N溝道MOSFET功率晶體�,適用于各種高頻、高壓和高溫�(yīng)用場�。其�(wěn)定性、可靠性和高效性能在電子行�(yè)得到了廣泛的�(yīng)��

參數(shù)和指�(biāo)

1、導(dǎo)通電阻:0.18Ω
  2、額定電流:18A
  3、額定電壓:200V
  4、最大功率:150W
  5、開�(guān)時間�22ns
  6、工作溫度范圍:-55℃~175�

組成�(jié)�(gòu)

IRF640NPBF是一種N溝道MOSFET功率晶體�,它由N型溝�、P型襯�、柵極、漏極和源極等部分組��

工作原理

IRF640NPBF工作時,�(dāng)柵極與源極之間的電壓大于閾值電壓時,柵極將吸引源極的電子,使其�(jìn)入溝�,形成導(dǎo)�。此�,漏極與源極之間的電阻很�,電流可以從漏極流入源極,從而實�(xiàn)�(dǎo)通�
  �(dāng)柵極與源極之間的電壓小于閾值電壓時,柵極將不吸引源極的電子,此時溝道中沒有電子,漏極與源極之間的電阻很�,電流無法通過,從而實�(xiàn)斷開�

�(shè)計流�

1、確定應(yīng)用場合:根據(jù)具體的應(yīng)用場�,選擇合適的IRF640NPBF型號�
  2、確定工作參�(shù):根�(jù)�(yīng)用場合和電路要求,確定IRF640NPBF的工作電�、工作電�、最大功率等參數(shù)�
  3、計算電路參�(shù):根�(jù)IRF640NPBF的參�(shù)和工作參�(shù),計算電路的電阻、電�、電感等參數(shù)�
  4、選擇電路元件:根據(jù)電路參數(shù)和應(yīng)用場�,選擇合適的電路元件,如電阻、電�、電感等�
  5、�(jìn)行電路設(shè)計:根據(jù)電路參數(shù)和電路元�,�(jìn)行電路設(shè)�,包括原理圖�(shè)計和PCB板設(shè)��
  6、�(jìn)行仿真和測試:通過仿真和測�,驗證電路設(shè)計的正確性和�(wěn)定性�
  7、�(jìn)行優(yōu)化和�(diào)試:根據(jù)仿真和測試結(jié)�,�(jìn)行優(yōu)化和�(diào)試,使電路性能�(dá)到最佳狀�(tài)�

注意事項

1、靜電防�(hù):在操作IRF640NPBF�,應(yīng)注意靜電防護(hù),避免靜電擊穿損壞晶體管�
  2、散熱問題:IRF640NPBF在工作時會產(chǎn)生熱�,應(yīng)注意散熱問題,避免晶體管過熱損壞�
  3、過電壓保護(hù):IRF640NPBF在工作時�(yīng)注意過電壓保�(hù),避免晶體管因過電壓而損��
  4、安裝注意事項:在安裝IRF640NPBF�,應(yīng)注意正確安裝位置和方�,避免連接錯誤損壞晶體��
  5、選擇合適的電路元件:選擇合適的電路元件可以提高電路性能,減少晶體管損壞�(fēng)險�
  6、保持清潔:在操作IRF640NPBF�,應(yīng)保持清潔,避免灰塵和雜質(zhì)�(jìn)入晶體管,影響工作效��
  7、注意防潮防濕:IRF640NPBF�(yīng)存放在干燥通風(fēng)的地�,避免潮濕影響晶體管性能�
  在使用時,應(yīng)注意靜電防護(hù)、散熱問題、過電壓保護(hù)、安裝注意事項等問題,選擇合適的電路元件,保持清潔和防潮防濕,以確保晶體管的�(wěn)定性和可靠��

irf640npbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf640npbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf640npbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF640NPBF