IRF6604是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度,非常適合于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
該芯片的封裝形式為TO-252(DPAK),這種封裝有助于提升散熱性能并簡(jiǎn)化PCB布局�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�38A
�(dǎo)通電阻:9mΩ
柵極電荷�17nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�11ns,關(guān)斷下降時(shí)�18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IRF6604具備較低的導(dǎo)通電�,這使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下能夠減少功率損耗并保持高效�(yùn)��
此外,其快速的�(kāi)�(guān)速度有助于降低開(kāi)�(guān)損耗,同時(shí)提高系統(tǒng)的整體效��
由于采用了邏輯電平驅(qū)�(dòng)技�(shù),該器件能夠在低�4.5V的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下正常工�,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并減少了外部元件的需��
它的高溫工作能力也使得IRF6604適用于對(duì)�(huán)境溫度要求較高的工業(yè)�(chǎng)��
IRF6603, IRF6605