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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF6604

IRF6604 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 10:35:44 查看 閱讀�25

IRF6604是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度,非常適合于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該芯片的封裝形式為TO-252(DPAK),這種封裝有助于提升散熱性能并簡(jiǎn)化PCB布局�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻:9mΩ
  柵極電荷�17nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�11ns,關(guān)斷下降時(shí)�18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRF6604具備較低的導(dǎo)通電�,這使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下能夠減少功率損耗并保持高效�(yùn)��
  此外,其快速的�(kāi)�(guān)速度有助于降低開(kāi)�(guān)損耗,同時(shí)提高系統(tǒng)的整體效��
  由于采用了邏輯電平驅(qū)�(dòng)技�(shù),該器件能夠在低�4.5V的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下正常工�,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并減少了外部元件的需��
  它的高溫工作能力也使得IRF6604適用于對(duì)�(huán)境溫度要求較高的工業(yè)�(chǎng)��

�(yīng)�

IRF6604廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)控制
  - DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電�
  - 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)

替代型號(hào)

IRF6603, IRF6605

irf6604推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf6604資料 更多>

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  • 描述
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irf6604參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 毫歐 @ 12A�7V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2270pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等容 MQ
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DIRECTFET? MQ
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF6604TR