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IRF7303QTRPBF 發(fā)布時間 時間:2025/4/29 15:01:06 查看 閱讀:32

IRF7303QTRPBF 是一款雙通道 N 溝道功率 MOSFET,專為需要高效率和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適用于各種電源管理場景,包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等。其封裝形式為 SO-8 封裝,能夠提供良好的散熱性能。
  IRF7303QTRPBF 內(nèi)部集成了兩個獨(dú)立的 MOSFET,每個 MOSFET 都具備相同的電氣特性,便于在多相或?qū)ΨQ應(yīng)用中使用。此外,該器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車級應(yīng)用。

參數(shù)

型號:IRF7303QTRPBF
  封裝:SO-8
  Vds(最大漏源電壓):40V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):6.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):24A
  柵極電荷:19nC
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +175℃
  fT(特征頻率):1.5MHz

特性

IRF7303QTRPBF 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流 Id 和耐壓 Vds,適合多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)特性,可降低開關(guān)損耗并支持高頻操作。
  4. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性。
  5. 緊湊的 SO-8 封裝,節(jié)省 PCB 空間并優(yōu)化散熱性能。
  6. 雙通道設(shè)計簡化了電路設(shè)計,尤其在需要多個開關(guān)的場合中表現(xiàn)優(yōu)異。

應(yīng)用

IRF7303QTRPBF 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓拓?fù)洹?br>  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的功率分配。
  4. 工業(yè)控制設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動和電源管理。
  5. 通信設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 家用電器和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的開關(guān)電源 (SMPS) 設(shè)計。

替代型號

IRF7303QPBF, IRF7303TRPBF

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf7303qtrpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 2.4A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱IRF7303QTRPBFDKR