SI9434ADY-T1-GE3 時(shí)間：2025/5/10 11:51:27 閱讀：25

SI9434ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率性能，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用和負(fù)載切換場(chǎng)景。
　　這款 MOSFET 專為需要高性能和高效能的電路設(shè)計(jì)而優(yōu)化，廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、電池保護(hù)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

參數(shù)

型號(hào)：SI9434ADY-T1-GE3
　　類型：N 溝道 MOSFET
　　Vds（漏源電壓）：30 V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：2.5 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 條件下）
　　Id（持續(xù)漏電流）：89 A
　　Vgs（柵源電壓）：±20 V
　　Qg（總柵極電荷）：6 nC（典型值）
　　EAS（雪崩能量）：2.27 mJ
　　封裝形式：TO-263 (DPAK)

特性

SI9434ADY-T1-GE3 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，這使得它在大電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出較低的功耗和更高的效率。
　　此外，該器件還具備以下優(yōu)勢(shì)：
　　1. 高效的開關(guān)性能，得益于低 Qg 和低 Miller 電荷設(shè)計(jì)。
　　2. 更高的功率密度，適合小型化設(shè)計(jì)需求。
　　3. 支持高達(dá) 89A 的連續(xù)漏電流，確保了其在高負(fù)載條件下的可靠性。
　　4. 具有出色的熱性能表現(xiàn)，能夠有效降低工作溫度。
　　5. 完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并且支持無(wú)鹵素工藝要求。

應(yīng)用

SI9434ADY-T1-GE3 主要應(yīng)用于對(duì)效率和功率密度要求較高的領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 各類 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
　　2. 開關(guān)電源和負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
　　3. 電動(dòng)工具、機(jī)器人和其他便攜式設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　4. 筆記本電腦和服務(wù)器的電源管理模塊。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的功率級(jí)切換和保護(hù)電路。
　　6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保護(hù)和均衡電路。