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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 9:59:42 查看 閱讀�17

IRF7380TRPBF是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了TrenchFET? Gen II技�(shù),具有較低的導通電阻和極佳的開�(guān)性能。其�(yōu)化設(shè)計使其非常適合于高頻開關(guān)應用和功率轉(zhuǎn)換電�。IRF7380TRPBF封裝形式為TO-263-3(D2PAK),具備較高的電流承載能力和良好的散熱性能�
  這款MOSFET通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電源管理模塊以及通信系統(tǒng)中的功率級電路等場景�

參數(shù)

型號:IRF7380TRPBF
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓)�40V
  Rds(on)(導通電�,典型值)�1.5mΩ
  Id(持�(xù)漏極電流):97A
  Qg(總柵極電荷):46nC
  EAS(雪崩能量)�1.5J
  Vgs(柵源電壓):�20V
  fT(特征頻率)�3.6MHz
  封裝:TO-263-3(D2PAK�

特�

IRF7380TRPBF的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻Rds(on),僅�1.5mΩ(在Vgs=10V時),這可以顯著降低導通損耗并提高效率�
  2. 總柵極電荷Qg�?�?6nC),使得開關(guān)速度更快且驅(qū)動功耗更��
  3. 高額定電流(97A)和高電壓耐受能力�40V�,確保了其能夠在各種復雜的功率環(huán)境中�(wěn)定運��
  4. 使用TrenchFET? Gen II技�(shù),進一步提升了器件的性能和可靠��
  5. TO-263-3封裝提供出色的散熱性能,并兼容表面貼裝工藝,方便自動化生產(chǎn)�
  6. 具備良好的短路保護能力,能夠承受至少1μs的短路時間�

應用

IRF7380TRPBF適用于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  2. 負載開關(guān)和保護電��
  3. 電機�(qū)動和逆變器控��
  4. 通信電源系統(tǒng)的功率管��
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  6. 計算機及外設(shè)中的電源分配�(wǎng)�(luò)�
  7. 工業(yè)�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換電��
  由于其卓越的電氣性能和可靠的工作表現(xiàn),IRF7380TRPBF成為許多高要求應用的理想選擇�

替代型號

IRF7380TRPBF, IRF7380, IRFH7380TRPBF

irf7380trpbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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irf7380trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C73 毫歐 @ 2.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7380TRPBF-NDIRF7380TRPBFTR