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IRF740 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 18:49:10 查看 閱讀：50

IRF740是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率控制的場(chǎng)合。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn)，能夠滿足多種工業(yè)和消費(fèi)類電子應(yīng)用需求。
　　IRF740的主要功能是通過柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的開關(guān)或調(diào)節(jié)作用。

參數(shù)

最大漏源電壓：500V
　　最大柵源電壓：±20V
　　持續(xù)漏極電流：8.9A
　　脈沖漏極電流：33A
　　導(dǎo)通電阻：1.9Ω
　　總功耗：125W
　　工作溫度范圍：-65℃至+150℃

特性

IRF740具備高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻，使其非常適合高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。其典型特點(diǎn)包括：
　　1. 高耐壓能力（500V），適用于各種高壓場(chǎng)景。
　　2. 快速開關(guān)速度，有助于提高效率并減少開關(guān)損耗。
　　3. 熱穩(wěn)定性好，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　4. 封裝形式為標(biāo)準(zhǔn)TO-220，便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
　　5. 較低的輸入電容和輸出電容，進(jìn)一步優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。

應(yīng)用

IRF740的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，主要涉及以下方面：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器及逆變器。
　　3. 各種類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，如步進(jìn)電機(jī)和無刷直流電機(jī)。
　　4. 電池充電器和保護(hù)電路。
　　5. 脈寬調(diào)制（PWM）控制器和其他需要高頻開關(guān)操作的設(shè)備。
　　6. 電子負(fù)載和測(cè)試設(shè)備中的功率級(jí)元件。

替代型號(hào)

IRF741, IRF742, IRF840

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  • IRF740
  • N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/4...
  • FAIRCHILD
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irf740參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)400V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C550 毫歐 @ 6A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF740IRF740IR