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IRF7406TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/10 12:40:08 查看 閱讀：23

IRF7406TRPBF是來(lái)自Infineon（英飛凌）的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用了先進(jìn)的制程技術(shù)，專為低電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度。其封裝形式為SOT-223，適合用于空間受限的電路設(shè)計(jì)。IRF7406TRPBF廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池管理等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　持續(xù)漏極電流(Id)：11A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：5.5mΩ (在Vgs=10V時(shí))
　　功耗(Pd)：87W
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　柵極電荷(Qg)：19nC

特性

IRF7406TRPBF具有較低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，能夠在高電流下保持較小的功率損耗，從而提高整體效率。
　　該器件具備快速開關(guān)能力，能夠有效降低開關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。
　　SOT-223封裝提供良好的散熱性能，確保器件在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定運(yùn)行。
　　其高雪崩擊穿能力和魯棒性使得IRF7406TRPBF能夠在嚴(yán)苛的工作條件下長(zhǎng)期使用。
　　此外，該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子設(shè)備中。

應(yīng)用

IRF7406TRPBF適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)元件。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
　　3. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
　　4. 小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器控制。
　　5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源分配與控制單元。

替代型號(hào)

IRF7407TRPBF, IRF7408TRPBF, BSC018N06NS5

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irf7406trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 2.8A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7406PBFTRIRF7406TRPBF-NDIRF7406TRPBFTR-ND