IRF7451是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Vishay公司生產(chǎn)。該器件采用邏輯電平驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),適用于低電壓應(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式為TO-263(D2PAK),具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)以及電池保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)域。
IRF7451在性能上表現(xiàn)出優(yōu)秀的效率和散熱能力,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:39A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷:16nC(典型值)
開關(guān)時(shí)間:ton=12ns,toff=15ns(典型值)
工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
IRF7451具備以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,支持大功率應(yīng)用。
3. 邏輯電平兼容柵極驅(qū)動(dòng),簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并降低了驅(qū)動(dòng)功耗。
4. 快速開關(guān)特性,減少了開關(guān)損耗并適合高頻操作。
5. 較寬的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
IRF7451廣泛應(yīng)用于多種場(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,如無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器。
3. 負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。
4. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計(jì)。
5. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)(BMS)。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元。
IRF7407, IRF7410, IRF7411