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IRF7453TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:42:06 查看 閱讀�35

IRF7453TR是英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用Trench技�(shù)制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用場(chǎng)��
  IRF7453TR采用了TO-263封裝形式,具有良好的散熱性能,能夠承受較高的電流和電壓,同時(shí)具備�(yōu)異的電氣特性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:1.9mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�32nC(典型值)
  輸入電容�1640pF(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)間:8ns(典型值),關(guān)斷下降時(shí)間:25ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

IRF7453TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損耗�
  3. 較低的柵極電荷(Qg�,可降低�(qū)�(dòng)電路的功��
  4. 具有出色的熱�(wěn)定性和魯棒�,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局并提供高效的散熱性能�
  6. 支持大電流傳輸,能夠滿足高功率應(yīng)用需��

�(yīng)�

IRF7453TR廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 各類�(fù)載切換電�,如電池保護(hù)和配電系�(tǒng)�
  5. 能量回收和逆變器應(yīng)��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�

替代型號(hào)

IRF7453TR的替代型�(hào)包括IRF7452TR、IRF7454TR以及來自其他廠商的類似規(guī)格產(chǎn)�,例如ON Semiconductor的NTMFS4C62NL或STMicroelectronics的STMFP18N60C3�

irf7453tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7453tr資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf7453tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫歐 @ 1.3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)