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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7468TRPBF

IRF7468TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:58:48 查看 閱讀�23

IRF7468TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 灃道溝道功率 MOSFET。該器件采用了先�(jìn)� Trench 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種高效能的開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� TO-252 (DPAK),使其在散熱性能和空間占用之間取得了良好的平��
  這款 MOSFET 主要�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器(POL�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開�(guān)電源以及其他需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景中�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�32A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�12nC(典型值)
  反向恢復(fù)電荷�0nC(由于內(nèi)置體二極管無(wú)反向恢復(fù)�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

IRF7468TRPBF 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)��
  3. �(nèi)置體二極管無(wú)反向恢復(fù)電荷,有助于減少開關(guān)損��
  4. 快速開�(guān)速度,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管��
  這些特性使� IRF7468TRPBF 成為高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRF7468TRPBF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,例如適配器和充電器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在服�(wù)�、通信�(shè)備和其他工業(yè)�(yīng)用中�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,包括無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,IRF7468TRPBF 在眾多電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRF7468GTRPBF, Infineon BSC019N06NS5

irf7468trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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irf7468trpbf資料 更多>

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irf7468trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.5 毫歐 @ 9.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2460pF @ 20V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7468PBFTRIRF7468TRPBF-NDIRF7468TRPBFTR-ND