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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF7821TRPBF

IRF7821TRPBF 發(fā)布時間 時間�2024/3/9 14:29:27 查看 閱讀�440

IRF7821TRPBF是一款N溝道MOSFET功率晶體�。它是由國際整流器公司(International Rectifier)生�(chǎn)的,廣泛應用于電源管�、電機驅�、逆變器和其他高性能電路��
  IRF7821TRPBF采用了封裝為TO-252的DPAK封裝,這種封裝形式使得它在電路設計中易于使用和安裝。它具有低導通電阻和低開啟電阻的特點,能夠提供穩(wěn)定和高效的電源轉換�
  該器件的最大漏極電壓為30V,最大漏極電流為9.8A,最大功耗為2.5W。它具有低漏極電�,使得在高電流應用中能夠實現(xiàn)低功耗和高效能�
  IRF7821TRPBF采用了先進的MOSFET技�,使得它具有快速開關速度和低驅動電壓要求。這使得它適用于高頻率應用和需要快速響應的電路�
  此外,它還具有過溫保護和靜電放電(ESD)保護等特�,提高了其在工業(yè)�(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)指標

最大漏極電�(Vds)�30V
  最大漏極電�(Id)�9.8A
  最大功�(Pd)�2.5W
  漏極電阻(Rds(on))�45mΩ
  輸入電容(Ciss)�530pF
  開關時間(ts, td)�6.7ns
  靜態(tài)開態(tài)電壓(Vgs(th))�2-4V
  工作溫度范圍(Tj)�-55°C�+175°C

組成結構

IRF7821TRPBF由MOSFET晶體管、漏極電阻和柵極驅動電路組成。它采用了TO-252封裝,包括三個引腳:漏極(Drain)、源�(Source)和柵�(Gate)�

工作原理

IRF7821TRPBF是一種N溝道MOSFET,其工作原理基于溝道的導電性。當柵極電壓(Vgs)高于閾值電�(Vgs(th))�,溝道會形成導電通道,電流可以從漏極流向源極。通過調節(jié)柵極電壓,可以控制溝道的導電性,從而控制漏�-源極之間的電��

技術要�

低漏極電�: IRF7821TRPBF具有低漏極電�,能夠實�(xiàn)低功耗和高效能�
  快速開關速度: 采用先進的MOSFET技�,具有快速開關速度和低驅動電壓要求�
  過溫保護和靜電放電保�: 提供過溫保護和靜電放電(ESD)保護等特�,提高了�(wěn)定性和可靠��

設計流程

設計IRF7821TRPBF的電路流程一般包括以下步驟:
  確定電源需求和負載特��
  選擇合適的功率晶體管,如IRF7821TRPBF�
  根據(jù)負載特性和電源需求,計算工作電流和電��
  進行熱設計,確保晶體管能夠正常工作并保持合適的溫��
  設計驅動電路,確保柵極電壓和電流符合�(guī)��
  進行電路模擬和優(yōu)化,確保性能和穩(wěn)定��
  組裝和測試電�,驗證設計的準確性和可靠性�

常見故障及預防措�

過熱故障:確保適�?shù)纳嵩O計和溫度控制,如使用散熱片和風扇��
  靜電放電故障:避免直接接觸晶體管引腳,使用靜電防護設備和合適的工作環(huán)��
  過電流故障:使用適當?shù)碾娏飨拗齐娐泛捅Wo電路,如保險絲和電流傳感器等�
  過壓故障:使用適�?shù)碾妷罕Wo電路和過壓保護器�,如快速反應的瞬態(tài)電壓抑制二極管等�

irf7821trpbf推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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irf7821trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.1 毫歐 @ 13A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1010pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7821PBFTR