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IRF7832PBF 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 17:19:30 查看 閱讀:27

IRF7832PBF是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用P-TO-220-3封裝形式。該器件由Infineon Technologies(原International Rectifier)生產(chǎn),廣泛應用于需要高效能和低導通電阻的場景。其主要特點是具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合于多種功率轉(zhuǎn)換應用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:52A
  導通電阻:2.5mΩ
  總功耗:140W
  工作溫度范圍:-55℃ to 150℃

特性

IRF7832PBF是一種高性能的功率MOSFET,專為高效率和低損耗設計。
  1. 低導通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為2.5mΩ,可有效減少傳導損耗。
  2. 快速開關性能,具備較低的輸入電容和輸出電荷,確保在高頻應用中的高效表現(xiàn)。
  3. 極高的瞬態(tài)脈沖電流能力,能夠承受高達100A的脈沖電流。
  4. 內(nèi)置熱保護功能,防止因過熱導致器件損壞。
  5. 高可靠性,適用于嚴苛的工作環(huán)境,如汽車電子、工業(yè)電源等。
  6. 具備出色的ESD防護性能,提高了器件的抗靜電能力。
  7. 封裝形式P-TO-220-3提供了良好的散熱性能,便于實際應用中的熱量管理。

應用

IRF7832PBF適用于多種功率控制場合:
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管。
  2. 電機驅(qū)動電路,用于控制直流無刷電機或其他類型電機的運行。
  3. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器、LED驅(qū)動器等。
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于電池充放電保護及能量管理。
  6. 太陽能逆變器以及其他可再生能源轉(zhuǎn)換裝置中的功率轉(zhuǎn)換部分。

替代型號

IRF7833PBF, IRF7834PBF, IRF7835PBF

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irf7832pbf參數(shù)

  • 標準包裝95
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.32V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs51nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4310pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝8-SO
  • 包裝管件