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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF840

IRF840 發(fā)布時間 時間�2023/7/18 17:59:12 查看 閱讀�1169

描述

IRF840是N溝道功率MOSFET,其可切換負(fù)載高�500V。Mosfet可以切換消耗高�8A的負(fù)�,并且可以通過在柵極和源極引腳之間提供10V的柵極閾值電壓來使其�(dǎo)通。由于mosfet用于切換高電流高壓負(fù)�,因此它具有相對較高的柵極電�,因此不能直接與CPU的I/O引腳一起使用�

�(chǎn)品圖�

IRF840

IRF840

�(guī)格參�(shù)

�(chǎn)品型�

IRF840

制造商

International Rectifier

符合REACH

組態(tài)

最大漏極電�(Abs)(ID)

8.0�

最大漏極電�(ID)

8.0�

最大電阻下的漏�

0.85歐姆

DS擊穿電壓-最小�

500.0�

場效�(yīng)管技�(shù)

金屬氧化物半�(dǎo)�

JEDEC-95代碼

TO-220AB

JESD-30代碼

R-PSFM-T3

JESD-609代碼

00

元素�(shù)

1.0

端子�(shù)

3

操作模式

增強模式

最高工作溫�

150�

包裝主體材料

塑料/�(huán)氧樹�

包裝形狀

長方�

包裝形式

法蘭安裝

峰值回流溫�(�)

225

極�/通道類型

N通道

功耗環(huán)境最大�

125.0�

最大功率耗散(Abs)

125.0�

脈沖漏極電流最大�(IDM)

32.0�

子類�

FET通用電源

終端完成

�/�(Sn / Pb)

終端表格

貫穿�

終端位置

時間@峰值回流溫�-最大�(�)

30

晶體管應(yīng)�

交換

晶體管元件材�

特點

  • N溝道功率MOSFET

  • 連續(xù)漏極電流(ID)�8A

  • 柵極閾值電�(VGS-th)�10V(極限=±20V)

  • 漏極至源極擊穿電壓:500V

  • 漏源電阻(RDS)�0.85歐姆

  • 上升時間和下降時間分別為23nS�20nS

  • 采用To-220封裝

�(yīng)用領(lǐng)�

  • 切換大功率設(shè)�

  • 逆變電路

  • DC-DC�(zhuǎn)換器

  • 電機控制速度

  • LED�(diào)光器或閃光燈

  • 高速開�(guān)�(yīng)�

引腳�

封裝

IRF840封裝

IRF840封裝

替代型號

8N50,F(xiàn)TK480,KF12N50,IRF740,BSS138,IRF520�2N7002,BS170,BSS123,IRF3205,IRF1010E

irf840推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf840資料 更多>

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  • PowerMOS transistor Avalanche energy...
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  • N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/5...
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  • ISC [Inc...
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irf840圖片

irf840

irf840參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫歐 @ 4.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF840IRF840IR