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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF9Z24S

IRF9Z24S 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:20:12 查看 閱讀�32

IRF9Z24S 是一� N 沯道垂直�(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel VDMOS Power FET�,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合�
  IRF9Z24S 的封裝形式為 TO-252 (DPAK),使其能夠在緊湊的空間內(nèi)提供高效的性能。該器件在設(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了現(xiàn)代電子系�(tǒng)�(duì)節(jié)能和空間�(yōu)化的需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�8.6A
  柵源電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  功耗:75W
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

IRF9Z24S 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高效開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保在高電流應(yīng)用中減少功率損耗�
  3. 快速開�(guān)能力,有助于降低開關(guān)損耗并提高整體效率�
  4. 緊湊� TO-252 封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  5. 良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)惡劣�(huán)境的�(yīng)用需��

�(yīng)�

IRF9Z24S 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括直流無(wú)刷電�(jī)控制�
  3. 電池充電器及保護(hù)電路�
  4. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單��
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  7. 通信�(shè)備中的電源管理部��

替代型號(hào)

IRFZ24N, IRFZ44N

irf9z24s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf9z24s資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irf9z24s參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRF9Z24S/L
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫歐 @ 6.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds570pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF9Z24S