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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFB3206PBF

IRFB3206PBF 發(fā)布時間 時間�2024/3/20 15:59:23 查看 閱讀�872

IRFB3206PBF是一種功率MOSFET芯片,由國際整流器(International Rectifier)公司生�(chǎn)。這款芯片采用了先進的技�(shù)和設(shè)�,具有高�、高性能和可靠性的特點�
  IRFB3206PBF采用了N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),其主要特點包括低導(dǎo)通電�、低開關(guān)損耗和高速開�(guān)能力。它的導(dǎo)通電阻很�,可以在高電流條件下提供低壓�,從而減少功耗和熱量。此�,該芯片具有較低的開�(guān)損�,可以實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�。它還具有快速的開關(guān)能力,可以實�(xiàn)快速的開關(guān)動作,適用于高頻�(yīng)��
  IRFB3206PBF的最大額定電壓為60V,最大額定電流為170A。它的電流驅(qū)動能力強,能夠應(yīng)對高電流負載。此�,該芯片還具有過溫保護和過電流保護等電路保護功能,可以保護芯片免受過熱和過載的損��
  IRFB3206PBF廣泛�(yīng)用于電源、驅(qū)動器、電機控制和其他功率電子�(yīng)用中。其高效、高性能和可靠性使得它成為許多工業(yè)和消費電子設(shè)備中的理想選�。無論是在高功率�(yīng)用還是低功率�(yīng)用中,IRFB3206PBF都能提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作�

參數(shù)指標

最大額定電壓:60V
  最大額定電流:170A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  開關(guān)電阻�12mΩ
  最大功耗:300W
  最大溫度:175°C

組成�(jié)�(gòu)

IRFB3206PBF采用N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),具有源極(S�、漏極(D)和柵極(G)三個引�。其�,源極和漏極之間的通道通過柵極的控制進行開關(guān)。柵極通過輸入信號控制MOSFET的導(dǎo)通和截止�

工作原理

IRFB3206PBF的工作原理基于MOSFET的三個工作區(qū)域:截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。當柵極電壓低于閾值電壓時,MOSFET處于截止區(qū),沒有導(dǎo)通電流通過。當柵極電壓高于閾值電壓時,MOSFET進入線性區(qū),導(dǎo)通電流隨柵極電壓的變化而變�。當柵極電壓達到一定電壓時,MOSFET進入飽和區(qū),導(dǎo)通電流達到最大�

技�(shù)要點

低導(dǎo)通電阻:通過�(yōu)化材料和�(jié)�(gòu)�(shè)計,實現(xiàn)低導(dǎo)通電�,減少功耗和熱量�
  高速開�(guān)能力:采用先進的制造工藝和�(shè)計,實現(xiàn)快速的開關(guān)動作,適用于高頻�(yīng)用�
  過溫保護和過電流保護:具有內(nèi)置的保護電路,可以保護芯片免受過熱和過載的損��

�(shè)計流�

確定�(yīng)用場景和需求:根據(jù)具體�(yīng)用場景和需求,確定IRFB3206PBF的工作電�、電流和溫度等參�(shù)�
  選擇電路拓撲和驅(qū)動電路:根據(jù)�(yīng)用需求選擇合適的電路拓撲和驅(qū)動電�,設(shè)計IRFB3206PBF的工作方式和控制方式�
  進行電路仿真和優(yōu)化:使用電路仿真工具對設(shè)計的電路進行仿真分析,優(yōu)化電路性能和參�(shù)�
  PCB�(shè)計和布局:進行PCB�(shè)計和布局,確保電路布線合�、信號傳輸良�,減少電磁干��
  確定散熱和保護措施:根據(jù)IRFB3206PBF的功率和工作條件,設(shè)計散熱和保護措施,確保芯片的�(wěn)定和可靠工作�

注意事項

在設(shè)計和使用IRFB3206PBF�,需要注意以下事項:
  正確選擇工作電壓和電流范�,避免超過芯片的額定參數(shù)�
  注意散熱和溫度控�,避免過熱損壞芯��
  使用合適的驅(qū)動電路和控制電路,確保正常的開關(guān)動作�
  遵循�(shè)計規(guī)范和標準,確保電路的�(wěn)定性和可靠��

irfb3206pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfb3206pbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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irfb3206pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6540pF @ 50V
  • 功率 - 最�300W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件