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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFB3306PBF

IRFB3306PBF 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 15:15:20 查看 閱讀�16

IRFB3306PBF是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用PQFN5x6-8L封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適用于多種高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其�(shè)計旨在優(yōu)化性能、降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效��
  這款MOSFET廣泛�(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載切換電�、電�(jī)�(qū)動以及電池管理系�(tǒng)等場景。得益于其出色的電氣特性和緊湊的封裝形�,IRFB3306PBF非常適合便攜式電子設(shè)備和其他對空間要求嚴(yán)格的系統(tǒng)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�18nC(典型值)
  總電容(Ciss):1950pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:PQFN5x6-8L

特�

IRFB3306PBF的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著減少傳導(dǎo)損�,提高效率�
  2. 高開�(guān)速度,確保在高頻工作條件下的低開�(guān)損��
  3. 采用先�(jìn)的銅夾片技�(shù),提升了熱性能和電氣性能�
  4. 緊湊的PQFN封裝,節(jié)省了PCB空間,同時增�(qiáng)了散熱能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子制造工藝需��
  6. 耐雪崩能力和抗靜電放電(ESD)性能�(qiáng),提高了器件的可靠��

�(yīng)�

IRFB3306PBF適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率級控��
  2. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理、DC/DC�(zhuǎn)換器及LED�(qū)動�
  5. 便攜式電子產(chǎn)品中的高效功率管理模��
  6. �(shù)�(jù)通信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管理單元�

替代型號

IRFB3207PBF, Infineon BSC016N06NS5

irfb3306pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfb3306pbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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irfb3306pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4520pF @ 50V
  • 功率 - 最�230W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件