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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 14:26:14 查看 閱讀�27

IRFH5250TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 沀� �(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOSFET)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于高頻開�(guān)�(yīng)用以及功率轉(zhuǎn)換電��
  這款 MOSFET 主要用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域中的高效能功率管理�(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):IRFH5250TRPBF
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  Vds(漏源極電壓):40V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�7mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):68A
  Qg(總柵極電荷):41nC
  EAS(雪崩能量)�1.5J
  f(工作頻率):高�(dá)MHz�(jí)
  Pd(最大功耗)�215W

特�

IRFH5250TRPBF 具有非常低的�(dǎo)通電� Rds(on),僅� 7mΩ(典型值),這使其非常適合高電流�(yīng)�,能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  此外,該器件具備較高的電流承載能力(68A�,同�(shí)保持了良好的熱性能和電氣穩(wěn)定�。其 TO-263 封裝形式也方便�(jìn)行散熱設(shè)�(jì)�
  它還具有較低的柵極電� Qg 和輸入電� Ciss,從而支持快速開�(guān)操作,并減少了驅(qū)�(dòng)損��
  在可靠性方�,IRFH5250TRPBF 能夠承受一定程度的雪崩能量�1.5J�,提高了其在異常情況下的魯棒��

�(yīng)�

IRFH5250TRPBF 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  - 工業(yè)逆變�
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  - 通信電源
  - �(jì)算機(jī)及外�(shè)電源
  由于其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力,該器件特別適合于要求高效率和高可靠性的功率管理解決方案�

替代型號(hào)

IRL520N, IRF540N

irfh5250trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfh5250trpbf資料 更多>

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irfh5250trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C45A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.15 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.35V @ 150µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7174pF @ 13V
  • 功率 - 最�3.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VQFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PQFN�5x6)單芯片焊盤
  • 包裝帶卷 (TR)