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IRFH5250TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 14:26:14 查看 閱讀：27

IRFH5250TRPBF 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的 N 沀道 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（NMOSFET）。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用以及功率轉(zhuǎn)換電路。
　　這款 MOSFET 主要用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域中的高效能功率管理場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào)：IRFH5250TRPBF
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　封裝形式：TO-263 (D2PAK)
　　Vds（漏源極電壓）：40V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：7mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：68A
　　Qg（總柵極電荷）：41nC
　　EAS（雪崩能量）：1.5J
　　f（工作頻率）：高達(dá)MHz級(jí)
　　Pd（最大功耗）：215W

特性

IRFH5250TRPBF 具有非常低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，僅為 7mΩ（典型值），這使其非常適合高電流應(yīng)用，能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
　　此外，該器件具備較高的電流承載能力（68A），同時(shí)保持了良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性。其 TO-263 封裝形式也方便進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)。
　　它還具有較低的柵極電荷 Qg 和輸入電容 Ciss，從而支持快速開關(guān)操作，并減少了驅(qū)動(dòng)損耗。
　　在可靠性方面，IRFH5250TRPBF 能夠承受一定程度的雪崩能量（1.5J），提高了其在異常情況下的魯棒性。

應(yīng)用

IRFH5250TRPBF 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　- 開關(guān)電源（SMPS）
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　- 工業(yè)逆變器
　　- 電池管理系統(tǒng)（BMS）
　　- 通信電源
　　- 計(jì)算機(jī)及外設(shè)電源
　　由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，該器件特別適合于要求高效率和高可靠性的功率管理解決方案。

替代型號(hào)

IRL520N, IRF540N

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irfh5250trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C45A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.15 毫歐 @ 50A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.35V @ 150µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7174pF @ 13V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VQFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PQFN（5x6）單芯片焊盤
  • 包裝帶卷 (TR)