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IRFH5302TRPBF 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 21:41:42 查看 閱讀:19

IRFH5302TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 N 灃道艗溝道功率場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用 PQFN 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于各種高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其出色的性能使其成為工業(yè)、消費電子以及汽車領域中的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:31A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷:29nC
  總電容:1280pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

IRFH5302TRPBF 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),在 4.5V 柵極驅(qū)動下僅為 4.5mΩ,有助于降低傳導損耗。
  2. 高開關速度設計,適合高頻應用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
  3. 支持高達 175°C 的結(jié)溫操作,提供卓越的熱穩(wěn)定性。
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求。
  5. 先進的 PQFN 封裝技術,能夠有效減少寄生電感并提高散熱性能。

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS),例如適配器和充電器。
  2. 電機驅(qū)動控制,尤其是無刷直流電機(BLDC)。
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換。
  4. 汽車電子系統(tǒng),如啟動停止功能或電池管理系統(tǒng)。
  5. 通信基礎設施中的電信電源模塊。
  6. 高效 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路。

替代型號

IRF530N, IRF540N

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irfh5302trpbf參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.1 毫歐 @ 50A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 100µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs76nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4400pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應商設備封裝PQFN(5x6)單芯片焊盤
  • 包裝帶卷 (TR)