IRFH5302TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 N 灃道艗溝道功率場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用 PQFN 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于各種高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其出色的性能使其成為工業(yè)、消費電子以及汽車領域中的理想選擇。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:31A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:29nC
總電容:1280pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
IRFH5302TRPBF 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),在 4.5V 柵極驅(qū)動下僅為 4.5mΩ,有助于降低傳導損耗。
2. 高開關速度設計,適合高頻應用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
3. 支持高達 175°C 的結(jié)溫操作,提供卓越的熱穩(wěn)定性。
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求。
5. 先進的 PQFN 封裝技術,能夠有效減少寄生電感并提高散熱性能。
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS),例如適配器和充電器。
2. 電機驅(qū)動控制,尤其是無刷直流電機(BLDC)。
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換。
4. 汽車電子系統(tǒng),如啟動停止功能或電池管理系統(tǒng)。
5. 通信基礎設施中的電信電源模塊。
6. 高效 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路。
IRF530N, IRF540N