時間：2022/10/11 11:00:18
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INFINEON IRFR120NTRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
額定功率：39 W
通道數(shù)：1
針腳數(shù)：3
漏源極電阻：0.21 Ω
極性：N-CH
耗散功率：48 W
閾值電壓：4 V
漏源極電壓(Vds)：100 V
漏源擊穿電壓：100 V
連續(xù)漏極電流(Ids)：9.4A
上升時間：23 ns
輸入電容(Ciss)：330pF @25V(Vds)
額定功率(Max)：48 W
下降時間：23 ns
工作溫度(Max)：175 ℃
工作溫度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：48W (Tc)
安裝方式：Surface Mount
引腳數(shù)：3
封裝：TO-252-3
長度：6.5 mm
寬度：6.22 mm
高度：2.3 mm
工作溫度：-55℃ ~ 175℃ (TJ)
