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IRFR120NTRPBF 發(fā)布時間 時間:2022/10/11 11:00:18 查看 閱讀:1626

    INFINEON  IRFR120NTRPBF  晶體管, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V

    N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon

    Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。


概述

    INFINEON  IRFR120NTRPBF  晶體管, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V

    N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon

    Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。



參數(shù)

    額定功率:39 W

    通道數(shù):1

    針腳數(shù):3

    漏源極電阻:0.21 Ω

    極性:N-CH

    耗散功率:48 W

    閾值電壓:4 V

    漏源極電壓(Vds):100 V

    漏源擊穿電壓:100 V

    連續(xù)漏極電流(Ids):9.4A

    上升時間:23 ns

    輸入電容(Ciss):330pF @25V(Vds)

    額定功率(Max):48 W

    下降時間:23 ns

    工作溫度(Max):175 ℃

    工作溫度(Min):-55 ℃

    耗散功率(Max):48W (Tc)

    安裝方式:Surface Mount

    引腳數(shù):3

    封裝:TO-252-3

    長度:6.5 mm

    寬度:6.22 mm

    高度:2.3 mm

    工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ)


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irfr120ntrpbf參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 5.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最大48W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR120NPBFTRIRFR120NTRPBF-NDIRFR120NTRPBFTR-ND