INFINEON IRFR120NTRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
額定功率:39 W
通道數(shù):1
針腳數(shù):3
漏源極電阻:0.21 Ω
極性:N-CH
耗散功率:48 W
閾值電壓:4 V
漏源極電壓(Vds):100 V
漏源擊穿電壓:100 V
連續(xù)漏極電流(Ids):9.4A
上升時間:23 ns
輸入電容(Ciss):330pF @25V(Vds)
額定功率(Max):48 W
下降時間:23 ns
工作溫度(Max):175 ℃
工作溫度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):48W (Tc)
安裝方式:Surface Mount
引腳數(shù):3
封裝:TO-252-3
長度:6.5 mm
寬度:6.22 mm
高度:2.3 mm
工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ)