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IRFR120ZTRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/27 16:32:57 查看 閱讀：15

IRFR120ZTRPBF 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的高壓功率 MOSFET，屬于 IRFR 系列。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適合用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
　　這款 MOSFET 的額定電壓為 600V，能夠承受較高的漏源極電壓，同時(shí)具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。其封裝形式為 TO-247-3，具有較大的散熱面積，便于在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)高效散熱。

參數(shù)

類(lèi)型：MOSFET
　　額定電壓：600V
　　額定電流：12A
　　導(dǎo)通電阻：1.8Ω
　　柵極電荷：55nC
　　最大功耗：190W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

特性

IRFR120ZTRPBF 的主要特性包括：
　　1. 高耐壓能力：額定電壓高達(dá) 600V，適合應(yīng)用于高壓環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：僅為 1.8Ω，降低了導(dǎo)通損耗，提高了效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：具有較低的柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)高頻操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 強(qiáng)大的散熱性能：采用 TO-247-3 封裝，提供了良好的散熱路徑，確保在高功率下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -55℃ 到 175℃ 的工作溫度區(qū)間，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
　　6. 可靠性高：經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，保證長(zhǎng)期使用的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

IRFR120ZTRPBF 常用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)：適用于各種高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，提供高效的電力轉(zhuǎn)換。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：用于工業(yè)和汽車(chē)電子中的直流電壓轉(zhuǎn)換。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：控制電機(jī)的速度和方向，廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。
　　4. 逆變器：用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和其他需要將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的應(yīng)用。
　　5. PFC (功率因數(shù)校正)：提高用電設(shè)備的功率因數(shù)，減少諧波失真。

替代型號(hào)

IRFP460N, STP12NK60Z, FDP18N60C

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irfr120ztrpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝6,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.7A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C190 毫歐 @ 5.2A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds310pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)