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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 16:32:57 查看 閱讀�15

IRFR120ZTRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的高壓功� MOSFET,屬� IRFR 系列。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)��
  這款 MOSFET 的額定電壓為 600V,能夠承受較高的漏源極電�,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�。其封裝形式� TO-247-3,具有較大的散熱面積,便于在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中�(shí)�(xiàn)高效散熱�

參數(shù)

�(lèi)型:MOSFET
  額定電壓�600V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:1.8Ω
  柵極電荷�55nC
  最大功耗:190W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

IRFR120ZTRPBF 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:額定電壓高�(dá) 600V,適合應(yīng)用于高壓�(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 1.8Ω,降低了�(dǎo)通損�,提高了效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具有較低的柵極電荷,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,減少開(kāi)�(guān)損耗�
  4. �(qiáng)大的散熱性能:采� TO-247-3 封裝,提供了良好的散熱路徑,確保在高功率下穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55� � 175� 的工作溫度區(qū)�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  6. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,保證長(zhǎng)期使用的�(wěn)定��

�(yīng)�

IRFR120ZTRPBF 常用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):適用于各種高頻�(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì),提供高效的電力�(zhuǎn)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于工�(yè)和汽�(chē)電子中的直流電壓�(zhuǎn)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制電�(jī)的速度和方�,廣泛應(yīng)用于家用電器、工�(yè)�(shè)備等�(lǐng)��
  4. 逆變器:用于太陽(yáng)能發(fā)電系�(tǒng)和其他需要將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的�(yīng)用�
  5. PFC (功率因數(shù)校正):提高用電設(shè)備的功率因數(shù),減少諧波失��

替代型號(hào)

IRFP460N, STP12NK60Z, FDP18N60C

irfr120ztrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irfr120ztrpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irfr120ztrpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝6,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫歐 @ 5.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds310pF @ 25V
  • 功率 - 最�35W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)