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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFR13N20DCPBF

IRFR13N20DCPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 19:02:34 查看 閱讀�18

IRFR13N20DCPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 灃道晶體�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。其額定電壓� 200V,適合用于工�(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合�
  該器件優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于要求嚴(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�4.6A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.25Ω
  柵極電荷�12nC
  總電容:780pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

IRFR13N20DCPBF 使用了先�(jìn)的溝� MOSFET 技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通電阻和更高的效�。同�(shí),其�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于提升散熱性能,并且具備較高的可靠性和�(wěn)定��
  該器件支持快速開(kāi)�(guān)操作,可顯著減少�(kāi)�(guān)損耗。其�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)使其能夠在極端溫度條件下正常工作,確保在各種工業(yè)�(yīng)用中的高效表�(xiàn)�
  另外,該�(chǎn)品符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保友�,適用于需要綠色解決方案的�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

IRFR13N20DCPBF 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 逆變器與變頻�
  4. �(fù)載切�
  5. DC-DC �(zhuǎn)換器
  6. 家用電器中的功率控制
  由于其高耐壓能力和高效的�(kāi)�(guān)性能,這款 MOSFET 在中等功率范圍內(nèi)的應(yīng)用尤為突��

替代型號(hào)

IRFR13N20D,
  IRFR13N20,
  STP10NK20Z

irfr13n20dcpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfr13n20dcpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C235 毫歐 @ 8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds830pF @ 25V
  • 功率 - 最�110W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝管件