時間：2023/3/9 14:29:33
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類別：分離式半導體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：HEXFET?
類別：分離式半導體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：165 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：17A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250?A
閘電荷(Qg) @ Vgs：41nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：910pF @ 25V
功率 - 最大：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝：帶卷 (TR)
供應商設備封裝：D-Pak
| 廠商 |
|---|
| Infineon / IR |
