類別:分離式半導體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:HEXFET?
類別:分離式半導體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:165 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:17A
Id 時的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 250?A
閘電荷(Qg) @ Vgs:41nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :910pF @ 25V
功率 - 最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝:帶卷 (TR)
供應商設備封裝:D-Pak
廠商 |
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Infineon / IR |