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IRGSL4B60KD1PBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/6 16:40:24 查看 閱讀：542

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：IGBT - 單路

    系列：-

    


目錄

概述

    類別：分離式半導體產(chǎn)品

    家庭：IGBT - 單路

    系列：-

    IGBT 類型：NPT

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：600V

    Vge, Ic時的最大Vce（開）：2.5V @ 15V, 4A

    電流 - 集電極 (Ic)（最大）：11A

    功率 - 最大：63W

    輸入類型：標準型

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-262-3（直引線）

    包裝：管件

    供應商設備封裝：TO-262

    其它名稱：*IRGSL4B60KD1PBF


資料

廠商
Infineon / IR

irgsl4b60kd1pbf推薦供應商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irgsl4b60kd1pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）2.5V @ 15V，4A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）11A
  • 功率 - 最大63W
  • 輸入類型標準型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
  • 供應商設備封裝TO-262
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRGSL4B60KD1PBF