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IRGSL4B60KD1PBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/6 16:40:24 查看 閱讀:542

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:IGBT - 單路

    系列:-

    


目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:IGBT - 單路

    系列:-

    IGBT 類型:NPT

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V

    Vge, Ic時的最大Vce(開):2.5V @ 15V, 4A

    電流 - 集電極 (Ic)(最大):11A

    功率 - 最大:63W

    輸入類型:標準型

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3(直引線)

    包裝:管件

    供應商設備封裝:TO-262

    其它名稱:*IRGSL4B60KD1PBF


資料

廠商
Infineon / IR

irgsl4b60kd1pbf推薦供應商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irgsl4b60kd1pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)2.5V @ 15V,4A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)11A
  • 功率 - 最大63W
  • 輸入類型標準型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
  • 供應商設備封裝TO-262
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRGSL4B60KD1PBF