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IRLI640GPBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/6 16:21:14 查看 閱讀：644

    類別：分離式半導體產品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-



目錄

概述

    類別：分離式半導體產品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點：邏輯電平門

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫歐 @ 5.9A, 5V

    漏極至源極電壓(Vdss)：200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：9.9A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：66nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1800pF @ 25V

    功率 - 最大：40W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 全封裝（直引線，隔離式），ITO-220AB

    包裝：管件

    供應商設備封裝：*

    其它名稱：*IRLI640GPBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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irli640gpbf參數

  • 數據列表IRLI640GPBF
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.9A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 5.9A，5V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs66nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封裝，隔離接片
  • 供應商設備封裝TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRLI640GPBF