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IRLIZ34GPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/6 16:05:44 查看 閱讀：609

    類(lèi)別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-


目錄

概述

    類(lèi)別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

    開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫歐 @ 12A, 5V

    漏極至源極電壓(Vdss)：60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：20A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1600pF @ 25V

    功率 - 最大：42W

    安裝類(lèi)型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 全封裝（直引線，隔離式），ITO-220AB

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

    其它名稱(chēng)：*IRLIZ34GPBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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irliz34gpbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRLIZ34GPBF
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 12A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V
  • 功率 - 最大42W
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封裝，隔離接片
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRLIZ34GPBF