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IRLR120NTRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/5/15 14:11:41 查看 閱讀:407

IRLR120NTRPBF是一種N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它采用了國(guó)際整流器(Infineon Technologies)的技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度。這使得IRLR120NTRPBF非常適合用于高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。
  IRLR120NTRPBF的操作基于MOSFET的工作原理。MOSFET是一種由MOS電容和場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的器件。它的導(dǎo)電性通過控制柵極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)。IRLR120NTRPBF是一種N溝道MOSFET,意味著它的導(dǎo)電性由負(fù)電荷攜帶者(電子)實(shí)現(xiàn)。

參數(shù)

●額定電壓(Vds):100V
  ●額定電流(Ids):12A
  ●靜態(tài)電阻(Rds(on)):0.14Ω
  ●線性耗散功率(Pd):2.8W
  ●柵極驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs):±20V
  ●工作溫度范圍(Tj):-55°C至+175°C

特點(diǎn)

1、低電阻:由于采用了先進(jìn)的MOSFET技術(shù),IRLR120NTRPBF具有非常低的漏極-源極電阻,可以在低電壓下實(shí)現(xiàn)較大的電流傳輸。
  2、高開關(guān)速度:IRLR120NTRPBF具有快速的開關(guān)速度,可以快速切換通斷狀態(tài),適用于高頻率應(yīng)用。
  3、低導(dǎo)通損耗:由于電阻較低,IRLR120NTRPBF在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗較低,能夠提供更高的效率。
  4、高溫工作能力:IRLR120NTRPBF能夠在高溫環(huán)境下工作,具有良好的熱穩(wěn)定性。

應(yīng)用

IRLR120NTRPBF廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗的電子設(shè)備中,例如:
  1、電源管理:適用于低電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和充電器等。
  2、電動(dòng)工具:適用于電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和控制器。
  3、汽車電子:適用于汽車電子系統(tǒng)的電流控制和開關(guān)應(yīng)用。
  4、LED驅(qū)動(dòng):適用于LED照明系統(tǒng)的開關(guān)驅(qū)動(dòng)。

如何使用

IRLR120NTRPBF是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于低電壓和低功耗應(yīng)用。以下是IRLR120NTRPBF的使用要點(diǎn):
  1、確保正確的安裝:在使用IRLR120NTRPBF之前,確保正確安裝它。檢查引腳的位置和方向,與電路板上的焊接點(diǎn)匹配。注意不要彎曲或損壞引腳。
  2、電源電壓:IRLR120NTRPBF的最大額定電源電壓為30V。確保提供的電壓不超過這個(gè)額定值,以避免損壞設(shè)備。
  3、控制信號(hào):IRLR120NTRPBF需要一個(gè)適當(dāng)?shù)目刂菩盘?hào)來(lái)打開和關(guān)閉�?刂菩盘�(hào)通常是一個(gè)低電平的電壓,通過控制引腳來(lái)提供。確保控制信號(hào)的電平和時(shí)序滿足設(shè)備的要求。
  4、散熱:在高功率應(yīng)用中,IRLR120NTRPBF可能會(huì)產(chǎn)生一定的熱量。為了確保正常運(yùn)行和延長(zhǎng)器件的壽命,需要適當(dāng)?shù)纳岽胧�。使用散熱片或散熱器將熱量從器件中�?dǎo)出,并確保器件的工作溫度在可接受范圍內(nèi)。
  5、電流限制:IRLR120NTRPBF的最大額定電流為48A。確保通過器件的電流不超過這個(gè)額定值,以避免過載和損壞。
  6、ESD保護(hù):在處理IRLR120NTRPBF時(shí),要注意靜電放電(ESD)的風(fēng)險(xiǎn)。確保在處理器件之前,使用適當(dāng)?shù)腅SD防護(hù)措施,如接地腕帶和防靜電墊。
  7、遵循規(guī)范:在使用IRLR120NTRPBF時(shí),遵循相關(guān)的規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn),以確保設(shè)備的安全性和性能。
  在使用IRLR120NTRPBF時(shí),確保正確安裝,提供適當(dāng)?shù)碾娫措妷汉涂刂菩盘?hào),采取散熱措施,限制電流,并遵循相關(guān)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。這樣可以確保器件正常運(yùn)行,并提高系統(tǒng)的可靠性。

安裝要點(diǎn)

IRLR120NTRPBF是一種N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),常用于功率開關(guān)和放大電路中。以下是安裝IRLR120NTRPBF的要點(diǎn):
  1、材料準(zhǔn)備:除了IRLR120NTRPBF之外,還需要準(zhǔn)備適當(dāng)?shù)纳崞�、絕緣墊片、焊錫、焊接工具、導(dǎo)線等。
  2、散熱器選擇:根據(jù)IRLR120NTRPBF的功率損耗和工作環(huán)境,選擇合適的散熱器。確保散熱器能夠有效地散熱,以保持MOSFET的工作溫度在安全范圍內(nèi)。
  3、安裝位置選擇:選擇一個(gè)適當(dāng)?shù)奈恢冒惭bIRLR120NTRPBF,確保它能夠順利地與其他電路元件連接,并且能夠良好地散熱。
  4、絕緣墊片使用:在IRLR120NTRPBF和散熱器之間使用絕緣墊片,以防止短路和電氣隔離。
  5、焊接連接:將IRLR120NTRPBF引腳與其他電路元件進(jìn)行焊接連接。確保焊接點(diǎn)牢固可靠,避免電流過載和短路。
  6、導(dǎo)線連接:使用適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線將IRLR120NTRPBF與其他電路元件連接起來(lái)。選擇合適的導(dǎo)線規(guī)格,以確保電流傳輸?shù)姆(wěn)定和安全。
  7、確保散熱:安裝好IRLR120NTRPBF后,確保散熱器能夠有效地散熱。檢查散熱器是否與IRLR120NTRPBF緊密接觸,并使用散熱硅脂等散熱材料提高散熱效果。
  8、測(cè)試和調(diào)試:安裝完成后,進(jìn)行電路測(cè)試和調(diào)試。確保IRLR120NTRPBF正常工作,沒有異常發(fā)熱和損壞現(xiàn)象。
  以上是安裝IRLR120NTRPBF的要點(diǎn),通過正確的安裝和連接,可以確保MOSFET的正常工作和長(zhǎng)壽命。在安裝過程中,需要注意安全操作,避免觸電和短路等危險(xiǎn)。如果不確定如何安裝,請(qǐng)咨詢專業(yè)人士的幫助。

常見故障及預(yù)防措施

IRLR120NTRPBF是一種N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,常用于功率電子應(yīng)用中。雖然它具有可靠性和穩(wěn)定性,但在使用過程中仍可能出現(xiàn)一些常見故障。以下是一些可能的故障及預(yù)防措施:
  1、過熱:當(dāng)IRLR120NTRPBF工作在超過其額定功率或電流的情況下,可能會(huì)導(dǎo)致過熱。這可能會(huì)損壞晶體管或引起系統(tǒng)故障。為了預(yù)防過熱,應(yīng)確保晶體管工作在其額定功率和電流范圍內(nèi),并提供足夠的散熱。
  2、靜電放電:靜電放電可能會(huì)對(duì)晶體管造成損壞。在安裝和處理晶體管時(shí),務(wù)必使用防靜電措施,如穿戴靜電手腕帶,避免直接觸摸晶體管的引腳。
  3、過電壓:過電壓是晶體管故障的常見原因之一。確保提供給晶體管的電壓在其額定范圍內(nèi),并使用適當(dāng)?shù)碾娫措妷悍(wěn)定器來(lái)保護(hù)晶體管。
  4、過流:過流是另一個(gè)可能導(dǎo)致晶體管故障的原因。使用適當(dāng)?shù)碾娏飨拗齐娐坊虮kU(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)晶體管免受過流損害。
  5、瞬態(tài)過電壓:瞬態(tài)過電壓可能會(huì)在電源啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí)出現(xiàn),對(duì)晶體管造成損壞。使用適當(dāng)?shù)乃矐B(tài)電壓抑制器來(lái)保護(hù)晶體管。
  6、溫度變化:溫度變化可能會(huì)導(dǎo)致晶體管參數(shù)的變化,從而影響其性能。確保晶體管工作在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi),并提供必要的散熱和溫度控制。
  7、錯(cuò)誤的焊接:錯(cuò)誤的焊接可能會(huì)導(dǎo)致引腳接觸不良或短路,從而影響晶體管的工作。在焊接過程中,應(yīng)遵循正確的焊接方法和規(guī)范。

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irlr120ntrpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C185 毫歐 @ 6A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大48W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLR120NPBFTR