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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF 發(fā)布時間 時間�2024/8/23 15:58:59 查看 閱讀�870

針對邏輯電平驅動進行了優(yōu)�
  4.5V VGS下的極低RDS(ON�
  4.5V VGS下的卓越R*Q
  改進的門、雪崩和動態(tài)dV/dt堅固�
  全特征電容和雪崩SOA
  增強體二極管dV/dt和dI/dt能力2
  無鉛

應用說明

直流電機驅動
  開關電源中的高效同步整流
  不間斷電�
  高速電源切�
  硬開關和高頻電路

技術參�(shù)

額定功率�143 W
  通道�(shù)�
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.0054Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�143 W
  閾值電壓:2.5 V
  輸入電容�779 pF
  漏源極電�(Vds)�60 V
  漏源擊穿電壓�60 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�99A
  上升時間�216 ns
  輸入電容(Ciss)�3779pF 50V(Vds)
  額定功率(Max)�143 W
  下降時間�69 ns
  工作溫度(Max)�175�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�143W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-252-3

外形尺寸

長度�6.73 mm
  寬度�6.22 mm
  高度�2.39 mm
  封裝:TO-252-3

符合標準

RoHS標準:RoHS Compliant
  含鉛標準:Lead Free

其他

產品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應用:Battery Operated Drive

irlr3636trpbf推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irlr3636trpbf參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs49nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3779pF @ 50V
  • 功率 - 最�143W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLR3636TRPBFTR