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IRLU3410PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/3/6 15:42:12 查看 閱讀:686

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

  


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):邏輯電平門

    開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫歐 @ 10A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:17A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:34nC @ 5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :800pF @ 25V

    功率 - 最大:79W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引線 + 接片)

    包裝:管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I-Pak

    其它名稱:*IRLU3410PBF



資料

廠商
Infineon / IR

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irlu3410pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫歐 @ 10A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs34nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最大79W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 長(zhǎng)引線,IPak,TO-251AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝I-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRLU3410PBF