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IS43TR16128B-125KBLI-TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 18:27:13 查看 閱讀�29

IS43TR16128B-125KBLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗的SDRAM芯片。該芯片廣泛�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、汽車電�、工�(yè)控制和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,為需要高速數(shù)�(jù)處理的應(yīng)用提供支��
  該芯片采用先�(jìn)的CMOS工藝制造,具有高可靠性和�(wěn)定�。其主要特點(diǎn)是大容量存儲(chǔ)能力、快速訪問速度以及較低的工作電�,適用于�(duì)性能和能耗均有嚴(yán)格要求的場景�

參數(shù)

容量�16M x 16 (256Mb)
  工作電壓�1.8V ±0.1V
  �(shù)�(jù)寬度:x16
  封裝形式:TQFP100
  工作溫度范圍�-40°C ~ +105°C
  訪問�(shí)間:12.5ns
  �(shí)鐘頻率:最高支�133MHz

特�

1. 高密度存�(chǔ):IS43TR16128B提供256Mb的大容量存儲(chǔ),能夠滿足多種復(fù)雜應(yīng)用的需求�
  2. 快速訪問速度:支持高�(dá)133MHz的時(shí)鐘頻�,確保了�(shù)�(jù)傳輸?shù)母咝浴?br>  3. 低功耗設(shè)�(jì):工作電壓為1.8V,顯著降低了系統(tǒng)的整體能耗�
  4. 廣泛的工作溫度范圍:能夠�-40°C�+105°C的環(huán)境下正常�(yùn)�,適合工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)��
  5. 可靠性高:通過�(yán)格的測試和篩選流�,保證在各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定表�(xiàn)�
  6. 小型化封裝:采用TQFP100封裝形式,節(jié)省PCB空間的同�(shí)便于焊接和安��

�(yīng)�

IS43TR16128B-125KBLI-TR適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 嵌入式系�(tǒng):如�(wǎng)�(luò)路由�、交換機(jī)等設(shè)備中的緩存或臨時(shí)存儲(chǔ)�
  2. 汽車電子:用于車載信息娛樂系�(tǒng)、儀表盤顯示和高�(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS��
  3. 工業(yè)控制:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�、PLC控制器和人機(jī)界面中提供數(shù)�(jù)緩沖功能�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如�(shù)碼相�(jī)、打印機(jī)和家用電器中的圖像處理與�(shù)�(jù)存儲(chǔ)任務(wù)�
  5. �(yī)療設(shè)備:支持�(yī)療儀器中的高速數(shù)�(jù)采集和分析需��

替代型號(hào)

IS43TR16128B-125ABLI-TR
  IS43TR16128B-125ABLL-TR
  IS43TR16128B-125KBLT-TR

is43tr16128b-125kbli-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

is43tr16128b-125kbli-tr參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR3
  • 存儲(chǔ)容量2Gb
  • 存儲(chǔ)器組�128M x 16
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�800 MHz
  • 寫周期時(shí)� - �,頁15ns
  • 訪問�(shí)�20 ns
  • 電壓 - 供電1.425V ~ 1.575V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�96-TWBGA�9x13�